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严清峰

作品数:23 被引量:54H指数:5
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇电子电信

主题

  • 13篇SOI
  • 8篇波导
  • 7篇光开关
  • 5篇刻蚀
  • 5篇光学
  • 4篇电光
  • 4篇调制器
  • 4篇集成光学
  • 4篇光调制
  • 4篇光调制器
  • 3篇电光调制
  • 3篇电光调制器
  • 3篇电光开关
  • 3篇多模
  • 3篇多模干涉
  • 3篇耦合器
  • 3篇光波
  • 2篇导光
  • 2篇多模干涉耦合...
  • 2篇阵列

机构

  • 23篇中国科学院
  • 1篇山东大学

作者

  • 23篇严清峰
  • 20篇余金中
  • 7篇夏金松
  • 6篇陈少武
  • 3篇刘忠立
  • 3篇陈媛媛
  • 3篇魏红振
  • 2篇李晋闽
  • 2篇杜成孝
  • 2篇樊中朝
  • 2篇王军喜
  • 2篇王良臣
  • 2篇郑海洋
  • 2篇魏同波
  • 2篇吴奎
  • 2篇董鹏
  • 2篇张逸韵
  • 1篇房昌水
  • 1篇李艳萍
  • 1篇王小龙

传媒

  • 6篇Journa...
  • 2篇光电子.激光
  • 1篇光纤与电缆及...
  • 1篇光子学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇飞通光电子技...
  • 1篇光子技术
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 10篇2003
  • 5篇2002
  • 3篇2001
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲...
陈媛媛余金中严清峰陈少武
关键词:SOI弯曲波导弯曲损耗集成光学
文献传递
快速响应SOI马赫曾德热光调制器被引量:10
2002年
给出了 Y分支 MZI热光调制器的模型 ,实验研制了基于 SOI( silicon- on- insulator)的 MZI热光调制器 ,调制器的消光比为 - 16.5 d B,开关的上升时间为 10 μs,下降时间为 2 0 μs,相应的功耗为 0 .3
魏红振余金中夏金松严清峰刘忠立房昌水
关键词:集成光学调制器SOI热光开关
SOI Waveguides Fabricated by Wet-Etching Method
2003年
SOI waveguides fabricated by wet-etching method are demonstrated.The single mode waveguide and 1×2 3dB MMI splitter are analyzed and designed by three dimensional beam propagation method to correct the error of effective index method and guided mode method.The devices are fabricated.Excellent performances,such as low propagation loss of -1.37dB/cm,low excess loss of -2.2dB,and good uniformity of 0.3dB,are achieved.
王小龙严清峰刘敬伟陈少武余金中
关键词:SOI
从OFC2001会议看DW DM全光网中的无源器件
2002年
概述了在 2 0 0 1年 OFC会议上出现的新型光无源器件 ,介绍了光无源器件的最新进展 ,着重分析了几种用于
夏金松余金中严清峰
关键词:全光网无源器件密集波分复用阵列波导光栅
载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响被引量:4
2002年
分析了载流子吸收对 SOI材料制作的 Y分支型 Mach- Zehnder干涉型电光调制器 /开关性能的影响 。
严清峰余金中
关键词:SOI电光调制器
SOI光电子集成被引量:7
2003年
SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅(PAWG)、基于SOI的光探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。
余金中严清峰夏金松王小龙王启明
关键词:SOI光电子集成电路阵列波导光栅
SOI电光开关中热光效应分析被引量:4
2003年
分析了 SOI(silicon- on- insulator) 2× 2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响。采用二维半导体器件模拟器 PISCES- 对器件进行了模块。结果表明 ,热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关 ,当调制区长度较短时 ,热光效应的影响不容忽视 ;当调制区长度大于 5 0 0μm时 ,这种影响可以忽略不计。
严清峰余金中
关键词:电光开关热光效应SOI
利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法
本发明公开了一种利用自组装小球在透明衬底上制作用于光刻版的金属网格模板的方法,包括如下步骤:选择表面平整的透明材料作为透明衬底;在透明衬底上铺上单层自组装密排小球;将单层自组装密排小球刻蚀拉开,形成非密排小球;在非密排小...
杜成孝董鹏郑海洋魏同波严清峰吴奎张逸韵王军喜李晋闽
反应离子刻蚀制作SOI脊形光波导
SOI(silicon-on-insulator)光波导是硅基光波导器件的基础上,也是实现其它有源器件无源器件以及光学器件交叉连接的基础.三维脊形光波导引入水平方向的折射率差,加强了波导对光场的限制,可以实现大截面尺寸单...
严清峰魏红振夏金松余金中
关键词:SOI反应离子刻蚀刻蚀速率
文献传递
光开关及其在WDM光网络中的应用被引量:5
2001年
介绍了光开关在WDM光网络中的应用情况,简述了光开关的发展概况并着重介绍了硅基SOI光开关的研究进展。
严清峰余金中夏金松
关键词:光开关波分复用光通信网
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