余辛
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质被引量：2
- 1997年
- 采用低温光伏谱方法，研究了应变Ｉｎ０１８Ｇａ０８２／ＧａＡｓ单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁，并与理论计算的结果进行比较，对光伏谱的谱峰跃迁能量随温度变化的分析，表明量子阱中的应变与温度基本无关．研究了光伏谱的谱峰半高宽度随温度的变化关系．讨论了声子关联。
- 吴正云王小军余辛黄启圣
- 关键词：铟镓砷砷化镓应变量子阱
- InGaAs/GaAs应变单量子阱的表面光伏谱被引量：1
- 1998年
- 采用表面光伏谱方法，测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应．结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认，分析了量子阱内子能级间的跃迁能量。
- 余辛吴正云黄启圣
- 关键词：应变量子阱砷化镓INGAAS
- InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱被引量：1
- 1997年
- 用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较．分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系．
- 吴正云王小军余辛黄启圣
- 关键词：应变量子阱
- 用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构
- 2001年
- 用Laplace缺陷谱仪 (LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中SnDX中心上电子发射引起的非指数瞬态 ,发现它们起因于混晶无序效应。与DLTS的单一谱峰比较 ,LDS谱呈现出多峰结构。由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的直线拟合 ,得到多峰结构各峰谱的激活能 ,认为它们反映杂质深中心与其近邻原子的不同结构。研究表明 ,LDS适用于深能级精细结构的研究。
- 余辛詹华瀚康俊勇黄启圣
- 关键词：深能级LAPLACE谱
- GaAsP混晶中的DX中心
- 1995年
- 用高分辨率深能级瞬态谱、光照深能级瞬态谱及光电容谱方法,对不同组份的掺Te的GaAsP混晶进行了实验研究,结果表明,所有被测样品中同时存在三种施主深能级,其热发射激活能各为 0.18,0.28,0.38eV.通过仔细测量与分析它们的电学和光学性质后,认为它们是由Te施主杂质形成的三种类DX中心,可能对应于Te运动会替位施主的不同原子构形.
- 张元常黄启圣康俊勇吴正云余辛
- 关键词：GAASP混晶DX中心
