您的位置： 专家智库 > >

刘斯扬

作品数：230 被引量：29H指数：2
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 195篇专利
  • 32篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 91篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 74篇氧化层
  • 63篇多晶
  • 62篇多晶硅
  • 57篇多晶硅栅
  • 57篇硅栅
  • 53篇栅氧化
  • 53篇栅氧化层
  • 51篇金属
  • 45篇半导体
  • 38篇电阻
  • 38篇晶体管
  • 33篇双极型
  • 28篇导通
  • 28篇导通电阻
  • 26篇电流
  • 23篇载流子
  • 22篇电路
  • 22篇绝缘体上硅
  • 21篇热载流子
  • 20篇N型

机构

  • 230篇东南大学
  • 13篇东南大学—无...
  • 8篇无锡华润上华...
  • 2篇无锡新洁能股...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇南京工程学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇华润上华科技...

作者

  • 230篇刘斯扬
  • 203篇孙伟锋
  • 175篇时龙兴
  • 129篇陆生礼
  • 55篇钱钦松
  • 38篇张春伟
  • 31篇李胜
  • 27篇叶然
  • 18篇张弛
  • 9篇王宁
  • 9篇张艺
  • 9篇童鑫
  • 8篇徐申
  • 8篇钱乐
  • 8篇薛颖
  • 8篇孙陈超
  • 8篇宋海洋
  • 7篇崔其晖
  • 7篇朱奎英
  • 6篇霍昌隆

传媒

  • 12篇东南大学学报...
  • 6篇电子器件
  • 3篇电子学报
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇Journa...
  • 1篇电子科技
  • 1篇光子学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇航空兵器
  • 1篇微电子学

年份

  • 18篇2024
  • 10篇2023
  • 14篇2022
  • 18篇2021
  • 14篇2020
  • 12篇2019
  • 11篇2018
  • 16篇2017
  • 16篇2016
  • 27篇2015
  • 20篇2014
  • 15篇2013
  • 18篇2012
  • 13篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇1900
共 230 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种开关电源的保护电路
一种开关电源的保护电路，包括信息采集模块、置位模块、延时模块和判断模块，信息采集模块采样异常信号输出至置位模块，置位模块和延时模块同时接受判断模块的输出反馈信号，置位模块和延时模块的输出分别连接判断模块。当有异常情况产生...
孙伟锋张晓明程维昶徐申刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法
一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，给待测器件漏源两端施加直流电压，在栅极上施加栅极直流工作电压，测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏...
钱钦松刘斯扬张頔孙伟锋陆生礼时龙兴
一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电...
孙伟锋张弛辛树轩李胜钱乐葛晨刘斯扬时龙兴
文献传递
两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路的保护方法
一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，电路包括电流变化探测电路，电流探测电路，软关断保护电路和降栅压保护电路，电流变化探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电...
钱钦松刘斯扬霍昌隆崔其晖孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管
一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层...
孙伟锋黄宇王永平张春伟戴佼容刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件
一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有...
孙伟锋马荣晶周雷雷张艺张春伟刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
一种功率变换器中功率MOS管的栅极驱动电路
一种功率变换器中功率MOS管的栅极驱动电路，包括直流电压源V、MOS管Q<Sub>1</Sub>、储能电容C、储能电感L、MOS管Q<Sub>2</Sub>和MOS管Q<Sub>3</Sub>，直流电压源V的正极连接MO...
钱钦松刘鹏俞居正刘斯扬孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种功率半导体器件动态电学应力施加装置及测试方法
本发明涉及一种功率半导体器件动态电学应力施加装置，包括：信号发生器、光耦保护模块、栅脉冲驱动模块、高压控制模块和所述n个被测功率半导体器件，其中，所述信号发生器、所述光耦保护模块、所述栅脉冲驱动模块依次串接至所述n个被测...
刘斯扬李智超叶然卢丽孙伟锋苏巍马书嫏华晓春顾力晖林峰
文献传递
一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管
一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管，包括N型衬底，在N型衬底的两端分别设有漏极金属和N型漂移区，在N型漂移区上设有P型基区层，在P型基区层设有按照阵列分布的N型源区和P型体接触区，在相邻N型源区之间设有N型...
孙伟锋黄宇顾春德张春伟刘斯扬钱钦松陆生礼时龙兴
一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件
一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型...
钱钦松刘斯扬万维俊孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
全选 清除 导出
共23页<12345678910>
聚类工具0