吴嘉达
- 作品数：53 被引量：66H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- ZnO/ZnSe纳米复合结构的制备及光学性质
- ZnO作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,常温下具有大的带隙(3.37eV)和激子束缚能(60meV)、高的电声耦合系数,以及在极端条件下的工作能力,原料易得廉价,无毒无害、可生物降解,实为一种绿色环保材料。根据不同...
- 杨琴杨旭孙剑许宁吴嘉达
- 关键词：光发射光响应
- 几种难熔过渡金属的激光氮化被引量：1
- 1995年
- 多脉冲激光辐照使置于氮气氛中的难熔过渡金属钛、钼和钽表面氮化，形成组织致密的氮化层，用多种方法分析和表征了氮化层的化学成分和组织结构。激光的作用使得金属表面熔化和氮气激活，导致液相氮化反应；激光引起的加热熔化和激波效应同时使表层组织致密。
- 吴嘉达伍长征吴凌晖李富铭宋宙模
- 关键词：过渡金属渗氮
- 电子回旋共振等离子体辅助的反应脉冲激光沉积方法制备氮化物薄膜
- 了一种电子回旋共振等离子体辅助的反应脉冲激光沉积方法，这一方法结合了反应脉冲激光沉积和电子回旋共振等离子体的特点。用这一方法尝试进行氮化硅薄膜，得到了成分分布均匀的膜层。这一方法也运用于制备其它化合物薄腰。
- 吴嘉达钟晓霞孙剑伍长征李富铭
- 脉冲激光烧蚀沉积合成ZnSe纳米线及其光电特性研究
- ZnSe是一种宽带隙(2.7 eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,可广泛应用于蓝绿光波段发光器件、光电探测器件、光波导器件、太阳能电池等光电器件。大容量高密度光通讯和信息处理技术发展的必然要求光源、光电探测器件、Q开关
- 许宁赖菊水沈轶群吴嘉达孙剑应质峰
- HfO2薄膜的制备及其性质研究
- 我们知道,半导体材料HfO具有很大的禁带宽度,并且具有很宽的透过光谱、高的损伤阈值、好的热学稳定性及好的机械性能,使得其在光学上,尤其在激光应用上具有很大的实用价值。同时,它也具有较大且适中的介电常数、合理的与Si接触的...
- 唐文涛孙剑许宁应质峰吴嘉达
- 文献传递
- 用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜被引量：13
- 2001年
- 介绍了用脉冲激光沉积 (PLD)方法制备AlN薄膜的工作 ,在Si(10 0 )衬底上得到了光滑平整、透明度高的AlN薄膜 ,由实验结果拟合得到能隙宽度为 5 7eV。考察了衬底温度和退火温度的影响。
- 凌浩施维孙剑应质峰吴嘉达李富铭王康林丁训民
- 关键词：脉冲激光沉积氮化铝激光烧蚀
- 在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法
- 本发明属材料制备领域，公开了一种在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法，尤其是在硅衬底上制备不含SiO<Sub>x</Sub>过渡面层、界面良好的IVB族金属氧化物薄膜的方法。本发明方法以IVB族高纯金属和高纯氧气...
- 吴嘉达孙剑唐文涛干洁
- 文献传递
- 硅纳米线的制备及其生长条件探究
- 2023年
- Si纳米材料自问世以来便受到研究者的重视,其不同于宏观块体材料的特殊性质可使其应用于各个领域。如何制备形貌较好且具有良好光电性能的纳米材料是在纳米材料应用前必须解决的问题。以Ni膜作为催化剂直接在Si衬底上制备了密集的Si纳米线,获得了Si纳米线较强的蓝紫波段的发光,研究了退火温度、退火气氛N_(2)流速、Si膜厚度等制备条件对Si纳米线形貌、光致发光强度的影响,并讨论了双层膜制备Si纳米线形成和生长机理。实验结果显示,退火温度、N2流速对Si纳米线的生长起到关键性的作用,N_(2)流速能够影响Si纳米线的光致发光强度,且较大的N_(2)流速能够使Si纳米线定向生长。而在Ni膜催化剂上预沉积一层适当厚度的Si膜也有助于Si纳米线的生长,且有效改善了Si纳米线的光致发光强度。
- 丁本远吴锂姚楚君李乐群刘煜吴嘉达许宁孙剑
- 关键词：硅纳米线退火
- 钙钛矿太阳能电池技术发展历史与现状被引量：14
- 2015年
- 简要回顾了钙钛矿太阳能电池的发展历史,解释了钙钛矿太阳能电池本质上是固态染料敏化太阳能电池。介绍了钙钛矿太阳能电池的微观发电机理,结合钙钛矿太阳能电池的能级图分析讨论了钙钛矿与电子传输层和空穴传输层的能级匹配。分析总结了钙钛矿太阳能电池的光伏技术参数,包括光生电流密度、开路电压、填充因子、能量转换效率以及光伏性能的稳定性。钙钛矿太阳能电池的能量转换效率、短路电流密度和开路电压均已超过非晶硅薄膜太阳能电池,填充因子与非晶硅薄膜太阳能电池很接近。钙钛矿太阳能电池有希望实现产业化而成为下一代薄膜太阳能电池。指出了钙钛矿太阳能电池大规模市场应用在制造技术上的瓶颈即空穴传输层的造价昂贵,并综述了解决该瓶颈的最新研究工作。
- 赵雨李惠关雷雷吴嘉达许宁
- 关键词：染料敏化太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池
- 一种一步法制备掺杂化合物薄膜的方法
- 本发明是一种一步法制备掺杂化合物薄膜的方法，即同时进行并完成化合物基质膜的合成和杂质原子的掺入。在ECR微波等离子体的辅助下，用一脉冲激光束烧蚀化合物基质膜的主源材料靶，在以反应脉冲激光沉积方式进行化合物基质膜合成沉积的...
- 吴嘉达孙剑卢意飞
- 文献传递
