周伟
- 作品数：10 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性被引量：8
- 1999年
- 报道了 Ｇａ Ａｓ （３１１） Ａ 衬底上的自组装 Ｉｎ Ａｓ 量子点的结构和光学特性．原子力显微镜结果表明（３１１） Ａ Ｇａ Ａｓ 衬底上的 Ｉｎ Ａｓ 量子点呈箭头状，箭头方向沿［２３３］ 方向．实验发现，量子点的光致发光（ Ｐ Ｌ） 强度、峰位、半高宽都与测量温度密切相关．随着温度的升高，量子点的发光强度减小，峰位快速红移，半高宽单调下降．可以认为这是由于载流子先被热激活到浸润层势垒后再被俘获到能量较低的量子点中进行复合造成的，这一模型圆满解释了我们的实验结果．
- 姜卫红许怀哲龚谦徐波王吉政周伟梁基本王占国
- 关键词：砷化镓衬底砷化铟光学特性
- 生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究被引量：1
- 2001年
- 测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 As重空穴的 型跃迁 .高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动 ,认为它来源于量子点中 Γ能谷与价带之间的跃迁 .在压力下还观察到了一个新的与 X相关的发光峰 ,认为它与双轴应变引起的导带
- 陈晔李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国
- 关键词：光致发光谱
- 多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究
- 2000年
- 测量了自组织多层In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点的变温光致发光谱,同时观察到来自浸润层和量子点的发光,首次直接观察到了浸润层和量子点之间的载流子热转移.分析发光强度随温度的变化发现浸润层发光的热淬灭包括两个过程:低温时浸润层的激子从局域态热激发到扩展态,然后被量子点俘获;而温度较高时则通过势垒层的X能谷淬灭.利用速率方程模拟了激子在浸润层和量子点间的转移过程。
- 陈晔张旺李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国
- 关键词：量子点光致发光
- 自组织InAlAs/AlGaAs红光量子点材料生长及其性质研究
- 该工作利用MBE技术制备了高质量的InAlAs/AlGaAs量子点材料,并对其生长条件、结构和光学性质进行了系统的研究,取得的主要如果如下:(1)通过在GaAs(001)衬底上InAlAs/AlGaAs量子点材料的生长研...
- 周伟
- 关键词：MBE技术
- 量子点激光器及其应用研究被引量：5
- 2000年
- 报道了用分于束外延生长出自组装垂直耦合InAs/GaAs大功率量子点激光器(QDLaser)材料和器件。对腔长为 80 0 μm ,室温下和 77K下连续激射阈值电流密度分别为 2 18A/cm2 和 4 9A/cm2 ,波长为 96 0nm ,最大输出功率大于lW。首次报道在0 54W工作下 ,寿命超过 30 0 0小时 ,功率仅下降 0 4 9db ,并制备出实用化的大功率量子点激光器激光耦合模块 ,室温连续激射功率超过
- 梁基本徐波龚谦韩勤周伟姜卫红刘会云王占国
- 关键词：激光器量子点分子束外延
- 不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱
- 2000年
- 在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 82、94和 98me V/GPa,都小于 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边的压力系数 ,特别是尺寸为 2 6nm的小量子点比 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边小 1 7% ,并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小 .理论计算表明有效质量的增大和 Γ- X混合是量子点压力系数变小的主要原因 ,并得到横向直径为 2 6和 52 nm的小量子点的 Γ- X混合势为 1 5和1 0 me V.根据实验还确定 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点系统 X能带具有 类结构 ,并且估算出价带不连续量为 0 .1 5± 0 .0
- 陈晔张旺李国华韩和相汪兆平周伟王占国
- 关键词：ALGAASINALAS量子点
- MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究被引量：2
- 1997年
- 利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移．这表明由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生．
- 朱东海范缇文梁基本徐波朱战萍龚谦江潮李含轩周伟王占国
- 关键词：量子点分子束外延自组织生长砷化铟
- (n11)面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究
- 1999年
- 报道不同指数面（ｎ１１）上生长的Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ 和Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果．在背散射条件下不同的偏振配置下，观测到这些样品中对应的Ｌ０ 模和Ｔ０ 模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化，同时把这一实验结果与（ｎ１１）指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较。
- 张旺李国华朱作明陈晔韩和相汪兆平周伟孙中哲
- 关键词：喇曼散射半导体
- 红光InAlAs量子点的结构和光学性质被引量：1
- 1999年
- 利用ＭＢＥ方法在（００１）衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的ＩｎＡｌＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ 量子点结构． 通过原子力显微镜观测表明， ＩｎＡｌＡｓ量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大； 发现Ａｌ原子的表面迁移率决定ＩｎＡｌＡｓ 量子点的形貌． 光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围， 并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响．
- 周伟梁基本徐波龚谦李含轩刘峰奇姜卫红江潮许怀哲丁鼎张金福王占国
- 关键词：光荧光
- 铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光被引量：1
- 1998年
- 在ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ中共注稀土铒和氧。３００℃和４００℃热退火后，测得了来自发光中心Ｅｒ３＋内层４ｆ电子跃迁的１．５４μｍ光致发光。４００℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加，发光强度逐渐减弱，这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。
- 薛俊明周伟周伟
- 关键词：铒氧光致发光
