周序乐
- 作品数：6 被引量：15H指数：3
- 供职机构：暨南大学理工学院物理学系更多>>
- 发文基金：广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- PI衬底上电沉积Cu薄膜的晶面择优取向被引量：1
- 2009年
- 采用硫酸盐电沉积法,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段研究了不同电沉积条件下在PI膜表面制备的Cu薄膜的晶面择优取向、平均晶粒尺寸及表面形貌。结果表明,沉积层的晶面择优取向受Cu薄膜厚度和电流密度影响,电流密度较小(0.2A/dm2)和较大(3.5～5.5A/dm2)时,电沉积Cu膜分别容易得到(111)和(220)晶面择优取向,较大电流密度有利于晶核的形成,薄膜表面平均颗粒尺寸较小。
- 吉锐唐振方周序乐沈娇
- 关键词：电沉积织构电阻率
- 掺杂与退火温度对VO_2薄膜性能的影响
- 2008年
- 采用真空蒸发法在普通玻璃表面制备了VO2薄膜,研究了退火温度和掺杂对薄膜表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能的影响.结果表明:经400℃、420℃、450℃、500℃退火得到的VO2薄膜其表面形貌和晶体结构存在明显的差异,其中420℃退火后的薄膜结晶形态良好,主要成分是VO2,在65℃左右表现出明显的电阻突变,常温下在波长1700nm附近薄膜的光透过率达59.9%;在VO2薄膜中掺入W6+,相变温度有所降低,但掺杂使薄膜光透过率降低.
- 周序乐唐振方彭舒
- 关键词：VO2薄膜掺杂相变
- 氩离子轰击和溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响被引量：4
- 2009年
- 采用直流磁控溅射法在PI柔性衬底上制备Cu膜。通过接触角测试仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等仪器研究了Ar+轰击时间和溅射功率对薄膜接触角、择优取向、晶粒大小及电阻率的影响。测试结果表明:随着Ar+轰击时间的延长,接触角减小,轰击时间为3min时,接触角达到最小为45.0°,进一步延长Ar+轰击时间反而会导致接触角增大。Ar+轰击时间由1min增加到3min时,平均晶粒尺寸由16.6nm增加到22.9nm,电阻率从16.2μΩ·cm降低到10.7μΩ·cm。溅射功率从3250W增加到7500W时,〈111〉晶面择优取向增强,Cu膜平均晶粒尺寸由15.1nm增加到17.6nm,电阻率从11.6μΩ·cm降低到7.4μΩ·cm。
- 周序乐唐振方吉锐沈娇
- 关键词：磁控溅射溅射功率放电时间电阻率
- 镀银铜粉导电电子浆料的研究被引量：7
- 2007年
- 研究了以镀银铜粉为导电填料的电子浆料,讨论了镀银铜粉含量、硅烷偶联剂的用量以及处理方法对导电浆料导电性能的影响。结果表明,当镀银铜粉填充含量达75%,偶联剂含量3%时,导电浆料的导电性、分散性、稳定性等性能较好。
- 彭舒唐振方周序乐
- 关键词：导电浆料镀银铜粉偶联剂环氧树脂
- 卷绕直流磁控溅射法制备铜膜及其性能研究
- 近年来,以二层覆铜板为基材的挠性印制电路板,具有薄、轻、结构灵活的鲜明特点,被广泛应用于折叠手机、数码相机、笔记本电脑等。二层覆铜板的制备方法有多种,有涂布法、层压法、溅射/电镀法。采用溅射/电镀法制备的Cu薄膜,具有良...
- 周序乐
- 关键词：卷绕直流磁控溅射CU膜
- 文献传递
- 电弧作用下铜基覆银触头的侵蚀失效机理被引量：3
- 2009年
- 由电弧引起的材料转移、熔焊是铜基覆银触头电侵蚀的主要表现,造成触头无法正常工作,使继电器失效,进而影响整个电路的运行.作者模拟了继电器触头的实际工作情况,分析了铜基覆银触头在电弧侵蚀中材料转移与熔焊机理.
- 沈娇唐振方吉锐周序乐
- 关键词：电弧触头熔焊
