周通
- 作品数:13 被引量:0H指数:0
- 供职机构:复旦大学更多>>
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- 斜切Si(001)衬底上GeSi纳米结构的可控制备
- GeSi纳米结构具有空穴迁移率高,光通讯波段发光及与现有CMOS工艺相兼容等特点,其在光电子器件中具有重要的应用,如用来制作低阈值量子点激光器,单电子晶体管,探测器等.GeSi纳米结构的可控生长是实现其功能器件化的前提....
- 周通钟振扬
- 关键词:硅衬底
- 斜切Si(001)衬底上新型GeSi纳米结构的系统研究
- 在硅基上自组织的Ge或GeSi纳米结构是半导体纳米结构的一个重要分支,和其它半导体材料相比,Ge/Si系统只涉及两种元素,在一定程度上,它可以作为一种原型来研究半导体异质外延的生长机理。本文运用分子束外延技术在不同的斜切...
- 周通马谦谦樊永良钟振扬
- 关键词:半导体材料硅化锗分子束外延技术
- 图形化硅衬底的制备与表征
- 体量子点一直是半导体材料与器件的研究热点之一,而图形化硅衬底的制备有助于形成有序的半导体量子点.基于纳米级的均匀的聚苯乙烯小球,我们采用LB(Langmuir-Blodgett)法,利用聚苯乙烯小球的自有序的特点,在硅衬...
- 雷卉周通钟振扬
- 斜切衬底上锗硅纳米线的可控外延生长
- 周通王泽钟振扬
- 关键词:锗硅纳米线
- 纳米Si/TiO<Sub>2</Sub>有序阵列复合物光解水制氢阴极材料及其制备方法
- 本发明属于电化学电极材料制备技术领域,具体为纳米Si/TiO<Sub>2</Sub>有序阵列复合物光解水制氢阴极材料及其制备方法。本发明利用纳米球光刻在P型Si衬底上制备得到有序的Si纳米线阵列,并包覆TiO<Sub>2...
- 蒋最敏黄树繁周通林东东
- 文献传递
- 基于镜像电荷效应调制硅锗量子阱光致发光的研究
- 尹叶飞王曙光王泽周通蒋最敏钟振扬
- 硅柱上外延锗的定点生长与形貌演化
- 王曙光周通钟振扬
- 斜切Si(001)衬底上新型GeSi纳米结构的系统研究
- 本文运用分子束外延技术在偏离<100>方向一定偏角的Si(001)衬底上异质外延一定厚度的锗硅合金,从而获得了高密度的垂直于斜切方向的锗硅纳米线结构。从实验中可以发现纳米线的生长具有一个最佳的斜切角度,当角度过大时,反而...
- 周通马谦谦樊永良钟振扬
- 关键词:半导体技术分子束外延技术
- 文献传递
- Novel topological states in two-dimensional materials
- In this talk,I will introduce two types of novel topological states found in two-dimensional materials:quantum...
- 杨中芹周通魏心源赵宝
- 基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法
- 本发明属于纳米结构制备技术领域,具体为一种基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法。本发明利用斜切的Si(001)单晶片为衬底,经过化学清洗后,放入分子束外延设备中高温脱杂质,之后先外延生长一层硅的缓冲层,最后异质外...
- 钟振扬周通田爽樊永良蒋最敏
- 文献传递