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周通

作品数:13 被引量:0H指数:0
供职机构:复旦大学更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术轻工技术与工程电气工程更多>>

文献类型

  • 11篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 6篇GESI
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 5篇衬底
  • 3篇锗硅
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇硅衬底
  • 2篇硅化锗
  • 2篇分子束外延技...
  • 2篇半导体
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷效应
  • 1篇电性质
  • 1篇调制
  • 1篇阴极
  • 1篇阴极材料
  • 1篇有序阵列

机构

  • 13篇复旦大学
  • 1篇山东理工大学

作者

  • 13篇周通
  • 10篇钟振扬
  • 5篇蒋最敏
  • 5篇樊永良
  • 2篇雷卉
  • 2篇王泽
  • 2篇王曙光
  • 1篇杨中芹
  • 1篇林东东
  • 1篇田爽

传媒

  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇第三届全国纳...
  • 1篇中国物理学会...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
斜切Si(001)衬底上GeSi纳米结构的可控制备
GeSi纳米结构具有空穴迁移率高,光通讯波段发光及与现有CMOS工艺相兼容等特点,其在光电子器件中具有重要的应用,如用来制作低阈值量子点激光器,单电子晶体管,探测器等.GeSi纳米结构的可控生长是实现其功能器件化的前提....
周通钟振扬
关键词:硅衬底
斜切Si(001)衬底上新型GeSi纳米结构的系统研究
在硅基上自组织的Ge或GeSi纳米结构是半导体纳米结构的一个重要分支,和其它半导体材料相比,Ge/Si系统只涉及两种元素,在一定程度上,它可以作为一种原型来研究半导体异质外延的生长机理。本文运用分子束外延技术在不同的斜切...
周通马谦谦樊永良钟振扬
关键词:半导体材料硅化锗分子束外延技术
图形化硅衬底的制备与表征
体量子点一直是半导体材料与器件的研究热点之一,而图形化硅衬底的制备有助于形成有序的半导体量子点.基于纳米级的均匀的聚苯乙烯小球,我们采用LB(Langmuir-Blodgett)法,利用聚苯乙烯小球的自有序的特点,在硅衬...
雷卉周通钟振扬
斜切衬底上锗硅纳米线的可控外延生长
周通王泽钟振扬
关键词:锗硅纳米线
纳米Si/TiO<Sub>2</Sub>有序阵列复合物光解水制氢阴极材料及其制备方法
本发明属于电化学电极材料制备技术领域,具体为纳米Si/TiO<Sub>2</Sub>有序阵列复合物光解水制氢阴极材料及其制备方法。本发明利用纳米球光刻在P型Si衬底上制备得到有序的Si纳米线阵列,并包覆TiO<Sub>2...
蒋最敏黄树繁周通林东东
文献传递
基于镜像电荷效应调制硅锗量子阱光致发光的研究
尹叶飞王曙光王泽周通蒋最敏钟振扬
硅柱上外延锗的定点生长与形貌演化
王曙光周通钟振扬
斜切Si(001)衬底上新型GeSi纳米结构的系统研究
本文运用分子束外延技术在偏离<100>方向一定偏角的Si(001)衬底上异质外延一定厚度的锗硅合金,从而获得了高密度的垂直于斜切方向的锗硅纳米线结构。从实验中可以发现纳米线的生长具有一个最佳的斜切角度,当角度过大时,反而...
周通马谦谦樊永良钟振扬
关键词:半导体技术分子束外延技术
文献传递
Novel topological states in two-dimensional materials
In this talk,I will introduce two types of novel topological states found in two-dimensional materials:quantum...
杨中芹周通魏心源赵宝
基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法
本发明属于纳米结构制备技术领域,具体为一种基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法。本发明利用斜切的Si(001)单晶片为衬底,经过化学清洗后,放入分子束外延设备中高温脱杂质,之后先外延生长一层硅的缓冲层,最后异质外...
钟振扬周通田爽樊永良蒋最敏
文献传递
共2页<12>
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