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CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究被引量：3: 2015年; 通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的Co Sb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在Co Sb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga,In等在方钴矿中不是单纯的填充,而是填充和Sb位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充-替换比例2∶1的缺陷为主,而In掺杂,根据不同的条件可形成填充,替换,以及不同比例的填充替换复合缺陷,其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗,研究了Ga,In掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现Ga,In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应,其载流子浓度较低,尤其是Ga填充,具有类似本征半导体的低载流子浓度,且得到实验证实。In掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1,填充位置的In比Ga的稍高一些,因此具有比Ga掺杂更高的载流子浓度。; 席丽丽邱雨婷史讯杨炯陈立东杨继辉张文清; 关键词：方钴矿第一性原理热电材料

n型填充CoSb3方钴矿的热电性能研究: ＜正＞热电转换技术利用半导体材料的Seebeck效应与Peltier效应实现热能和电能之间直接相互转化。热电领域研究的重点是获得高转换效率的材料,核心是理解电输运（电子与空穴输运）与热输运（声子输运）特性的规律,通过原子...; 史迅杨炯席丽丽; 文献传递

填充方钴矿热电材料:从单填到多填被引量：19: 2011年; 以传统窄带半导体材料为主要对象的高性能热电材料研究近年来发展迅速并取得了明显进展.本文以含本征晶格孔洞的笼状结构CoSb3基方钴矿化合物的相关研究为主线,综述近年来热电材料的主要研究进展,并分析了杂质原子在孔洞中部分填充特性为基础的填充方钴矿化合物的结构调控、电-热输运性能协同调控、以及热电性能优化的内在物理机制及其实验实现.在本征孔洞结构的方钴矿化合物中引入部分填充的杂质原子,通过局域声子散射而显著降低晶格热导率,同时可以优化电输运性能.研究还发现这样一类特殊结构化合物的电热输运性能可以通过选择不同价态与不同局域振动频率的多种不同填充原子的组合填充而实现可以近乎独立地调控与优化,热电优值达到1.7@850K,实现了明显具有"声子玻璃-电子晶体"特征的一类高性能热电材料.研究工作一方面明显提高了填充方钴矿材料的热电性能,另一方面加深了相关物理机制的理解,对进一步的新热电材料体系的设计具有指导意义.; 席丽丽杨炯史迅张文清陈立东杨继辉; 关键词：热电材料方钴矿

P型全Fe基方钴矿IFe4Sb12（I=Na,K,Ca,Sr,Ba,La,Ce,Pr,and Yb）的第一原理计算: ＜正＞计算了p型全Fe基方钴矿IFe4Sb12的电子结构及电输运性能。填充元素I涵盖碱金属（Na,K）,碱土金属（Ca,Sr,Ba）和稀土金属（La,Ce,Pr,Yb）。所有计算均在VASP软件包下完成,并以投影缀加平面...; 杨炯仇鹏飞史迅席丽丽张文清陈立东; 文献传递

Cu基类金刚石结构中的Cu-Se化学键网络及热电性能优化: ＜正＞填充方钴矿化合物被认为是一种基本满足"声子玻璃-电子晶体"特性的材料,通过研究其结构与电热输运的关系发现材料中存在强的化学键网络维持结构的稳定,以及较弱化学键可进行掺杂,只要满足这些条件,则化合物可能具有声子玻璃-...; 席丽丽史啸亚史迅张文清陈立东; 文献传递

热电材料研究中的基础物理问题被引量：12: 2011年; 热电转换技术主要包括利用半导体材料的泽贝克(Seebeck)效应将热能直接转化成电能和利用佩尔捷(Peltier)效应直接将电能转化成热能.文章简单回顾了热电转换材料中的物理效应及相关研究进展,重点介绍了常规热电材料(即窄带半导体)中的一些基本物理问题,其中包括一个好的热电材料应该具有的特性,以及提高半导体材料的电导率和泽贝克系数,降低热导率的物理机制和方法.文章还介绍了近年来电子晶体-声子玻璃类材料以及低维热电材料等热点问题的研究进展.最后还简单讨论了非常规热电材料的研究现状与趋势.; 史迅席丽丽杨炯张文清陈立东; 关键词：热电材料物理问题热导率低维材料

电热输运微观机制理解与新热电材料设计被引量：1: 2016年; 基于材料微观理解的热电材料理论设计是热电领域的研究趋势,可以大大加快热电材料的研发速度。用三个热电材料的理论设计实例,综述了与能级简并相关的能带工程、复杂化合物中导电通道和电热输运性能独立调控,以及具有反常热导率变化的半晶态化合物等方面的研究,涵盖了电和热输运的多个方面,同时也指出了几个热电材料理论设计的未来发展方向。; 孙永兴杨炯席丽丽邱吴劼吴立华张文清; 关键词：热电材料

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席丽丽