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弓小武

作品数：62 被引量：10H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 53篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 37篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 11篇半导体
  • 11篇半导体器件
  • 8篇晶体管
  • 8篇击穿电压
  • 7篇势垒
  • 7篇势垒层
  • 7篇碳化硅
  • 7篇芯片
  • 7篇功率器件
  • 6篇电极
  • 6篇氧化层
  • 6篇源极
  • 6篇漏极
  • 5篇电感
  • 5篇电路
  • 5篇源区
  • 5篇漂移区
  • 5篇寄生电感
  • 5篇功率模块
  • 5篇沟槽

机构

  • 55篇西安电子科技...
  • 7篇西安交通大学
  • 2篇西安微电子技...
  • 1篇西安电力电子...

作者

  • 62篇弓小武
  • 44篇何艳静
  • 41篇袁嵩
  • 11篇姜涛
  • 9篇王颖
  • 7篇张玉明
  • 6篇汤晓燕
  • 6篇宋庆文
  • 6篇袁昊
  • 5篇罗晋生
  • 4篇樊昌信
  • 4篇刘玉书
  • 3篇高玉民
  • 1篇王晓宝
  • 1篇冯玉春

传媒

  • 5篇电力电子技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 6篇2024
  • 8篇2023
  • 22篇2022
  • 13篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 4篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 62 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法
本发明公开了一种具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法，器件结构包括：N‑漂移区、P‑掺杂区、空穴阻挡层、P基区、N+源区、P+接触区、P‑沟槽区、第一栅极、源极以及欧姆接触区，P‑掺杂区位于N‑漂移区中...
何艳静张飞翔袁嵩弓小武
文献传递
一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，对绝缘介质层和各个层形成的界面在超临界流体下进行退火处理，同时，采用低温退火工艺，避免了高温的再氧化和材料分解，利用SCF态高渗透、高溶解以及...
袁嵩张世杰江希姜涛严兆恒何艳静弓小武
一种用于高侧功率开关的限流保护电路
本实用新型公开了一种用于高侧功率开关的限流保护电路，包括主功率管，还包括：信号产生电路，用于感测采样参数，并根据所述采样参数输出触发信号至导通电路，所述采样参数为采样电流或采样电压；导通电路，用于根据所述触发信号泻放所述...
弓小武薛晓磊杨世红
文献传递
三端电压控制器件及其制作方法
本发明公开了一种三端电压控制器件及其制作方法，涉及功率电子器件技术领域，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；钝化层，位于缓冲层背离衬底的一侧，钝化层包括开口，开口内包括沟道层和势垒层，沟道层位于缓冲层背离衬底的一侧，势垒...
江希姜涛袁嵩张世杰严兆恒何艳静弓小武
一种新的超级结器件及其制备方法
本发明公开了一种新的超级结器件及其制备方法，该器件包括：N+衬底；N‑漂移区，设置于N+衬底上表面；至少两个P型柱区，间隔设置于N‑漂移区内；若干P+体区，分别设置于P型柱区中最顶端的P型柱子区；若干N+源区，分别设置于...
何艳静赖建锟江希袁嵩弓小武
文献传递
一种T型阳极GaN肖特基温度传感器及其制备方法
本发明公开了一种T型阳极GaN肖特基温度传感器，包括：自下而上堆叠而成的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、AlN插入层和势垒层；半圆环形P型GaN层堆叠于势垒层上方的一侧。第一钝化层覆盖于势垒层上表面除P型GaN层以外的地方...
江希邓超凡严兆恒袁嵩何艳静弓小武
一种具有沟道缓冲层的半超结MOSFET器件及其制备方法
本发明公开了一种具有沟道缓冲层的半超结MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：N<Sub>BAL</Sub>电压支撑层；P‑pillar区和N‑pillar区，设置于N<Sub>BAL</Sub>电压支撑层表面，且两者...
何艳静张飞翔江希袁嵩弓小武
文献传递
浅结高压器件终端场分析与实验
1996年
采用二维有限元数值分析法，开发出用于反向偏置ｐｎ结分析的模拟软件。它可以模拟与反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟方法，并以三环浅结带场板终端为例，给出部分模拟实例。
弓小武高玉民罗晋生
关键词：电力半导体器件终端
基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片及其版图结构
本发明公开了一种基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片及其版图结构，源级、阴极、栅极、第一P+注入区、第一N+注入区、第一P阱区、第二P+注入区、第二N+注入区、N‑外延区、N+衬底区、漏极、栅氧化层、第二P阱区、...
何艳静詹欣斌袁嵩江希弓小武
低温漂CMOS基准电压源的设计与试制被引量：3
1994年
本文介绍一种采用５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺制造的的集成基准电压源，在－２０℃到１００℃范围内其输出电压稳定性可达５０ｐｐｍ／℃。它的基本工作原理是建立在对双极晶体管ＶＢＥ的负温度系数以正温度系数来补偿，从而获得温度稳定的基准电压。
弓小武刘玉书
关键词：集成电路CMOS基准电压源
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