张江勇
- 作品数：41 被引量：29H指数：3
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种氮化物发光器件及其制备方法
- 一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和...
- 张江勇张保平王启明蔡丽娥余金中
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- 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法
- 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭...
- 张保平曾勇平龙浩应磊莹张江勇
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- p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响
- 2013年
- 近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度。基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LED样品电学性能及光学性能的影响。电流电压特性的测试结果显示,在较低温度(500℃)下O2退火就可以达到与N2高温退火(800℃)相似的电学特性。变温光致发光测试表明,N2高温退火会在InGaN量子阱中形成In团簇,In团簇作为深的势阱增加了对载流子的束缚,能够将载流子更好地局限在势阱中。然而In团簇形成的同时也伴随着大量位错的产生,使其InGaN量子阱中的位错密度大幅度提高,因此室温下N2退火样品的辐射复合效率低于O2退火样品的辐射复合效率。
- 孙丽张江勇陈明梁明明翁国恩张保平
- 关键词：热退火位错密度
- 自分裂GaN基外延薄膜转移方法
- 自分裂GaN基外延薄膜转移方法，涉及氮化镓基半导体器件。选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和GaN基薄膜外延层；在GaN基薄膜上形成图形化金属层；将样品键合到支撑基板上；采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，...
- 张保平陈明蔡丽娥张江勇应磊莹
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- 氮化物垂直腔面发射激光器
- 通过攻克蓝宝石衬底剥离,优化增益区设计等关键技术,在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射,光泵激射条件下所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。该成果为进一步研制实用化电注入氮化物面发射激光器奠定...
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- 高散热正装结构薄膜LED研究
- 作为环保节能的新一代绿色光源和照明技术,大功率LED近年来得到快速发展,但仍然存在散热不畅的瓶颈.由于缺乏同质衬底,GaN材料的生长主要采用异质外延的方法,通常选用蓝宝石作为异质外延的基底.但蓝宝石基底导热性差,使器件在...
- 张江勇应磊莹陈明刘文杰张保平
- 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法
- 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n...
- 张保平胡晓龙刘文杰张江勇应磊莹
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- 激光剥离GaN表面的抛光技术被引量：1
- 2014年
- 激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二氧化硅抛光液进行机械抛光和化学机械抛光(CMP),并对比了两种方法获得的抛光结果,研究发现前者会在抛光后的GaN表面引入划痕,而采用后者可以得到亚纳米级平整度的表面。进一步的实验结果表明,胶粒二氧化硅抛光液同样适用于图形化衬底外延片激光剥离后的GaN表面抛光。
- 应磊莹刘文杰张江勇胡晓龙张保平
- 关键词：GAN
- 用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法
- 用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；在非平面结构上制作金属层；在...
- 张保平刘文杰胡晓龙张江勇应磊莹
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- GaN垒层厚度对InGaN/GaN单量子阱光学特性的影响
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOVCD)技术制备了不同GaN垒层厚度的InGaN单量子阱。低温PL测量发现,随着GaN垒层厚度的增加,InGaN量子阱的发光峰位发生了明显的红移;同时,激子与纵光学声子间的耦合强度也逐渐增...
- 胡晓龙张江勇张保平
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