张金卫
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：江苏大学更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 弯曲应变下Co_(66)Fe_4Cr_2Si_(12)B_(16)非晶态合金带应力阻抗效应被引量：1
- 2009年
- 对具有负磁致伸缩系数的Co66Fe4Cr2Si12B16非晶合金带在制备态下及经脉冲电流退火下的应力阻抗效应进行了研究。结果表明:长为50mm的非晶带,在仅5mm挠度的弯曲应变作用下材料可显示显著的应力阻抗效应,输出电压幅值变化率大于40%。非晶材料经电流密度为35A/mm2,频率为2Hz,持续时间为30s的脉冲电流退火处理后,可改善应力阻抗效应灵敏度。该非晶材料受张应力作用时阻抗减小,受压应力作用时阻抗增大,弯曲应变下的应力阻抗效应可用于制作具有高应变因子的力传感器及新型智能材料。
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- Bi4Ge3O12晶体光纤磁场传感器的研究
- 对BiGeO晶体的法拉第旋转效应进行了研究,结果表明可以把它用作基于法拉第效应光纤磁场传感器的敏感材料。设计了传感器探头及后续信号处理电路,并搭建了实验测量平台。通过变化两个环状磁铁的间距来得到不同强度的磁场,并用研制的...
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- 关键词：光纤磁场传感器
- 文献传递
