您的位置: 专家智库 > >

朱春晖

作品数:9 被引量:13H指数:2
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学

主题

  • 8篇冷阴极
  • 8篇纳米
  • 8篇场致发射
  • 5篇碳纳米管
  • 5篇纳米管
  • 3篇电流
  • 3篇碳管
  • 3篇纳米碳
  • 3篇纳米碳管
  • 3篇CVD
  • 3篇CVD法
  • 3篇场发射
  • 2篇电流密度
  • 2篇大电流
  • 1篇性能研究
  • 1篇丝网印刷
  • 1篇丝网印刷法
  • 1篇碳纳米管阴极
  • 1篇镍催化
  • 1篇镍催化剂

机构

  • 9篇东南大学

作者

  • 9篇朱春晖
  • 8篇张晓兵
  • 8篇雷威
  • 6篇娄朝刚
  • 3篇穆辉
  • 2篇李俊涛

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇电子器件
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 3篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2003
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究
2005年
本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能.结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向是随机的,但大电流发射稳定性较差;用丝网印刷方法制作的碳纳米管致发射冷阴极,场发射电流发射较稳定.
穆辉张晓兵雷威娄朝刚朱春晖
关键词:碳纳米管场发射CVD
纳米碳管场致发射冷阴极的研究被引量:5
2004年
以热化学气相沉积法较容易地制备得到场发射冷阴极。在导电性较好的金膜上蒸镀镍点,以此作为热化学气相沉积反应的基底,首先高纯氢气被通入石英管中作为保护性气体,同时起到还原催化剂的作用;然后通入乙炔气体,在700℃下在镍催化剂颗粒上乙“炔发生裂解反应,实现纳米碳管的生长,并进行了场致发射特性实验研究,发射电流密度可达1.29 A/cm^2,获得较大发射电流密度。
朱春晖李俊涛张晓兵雷威
关键词:纳米碳管场致发射冷阴极镍催化剂
纳米碳管场致发射冷阴极的研究
以热化学气相沉积法较容易地制备得到场发射冷阴极。在导电性较好的金膜上蒸镀镍点以此作为热化学气相沉积反应的基底,首先向石英管中通入高纯氢气作为保护性气体,同时起到还原催化剂的作用;然后通入乙炔气体在700oc下在镍催化剂颗...
朱春晖李俊涛张晓兵雷威
关键词:纳米碳管场致发射
文献传递
CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究
本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能。结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向是随机的,但大电流发射稳定性...
穆辉张晓兵雷威娄朝刚朱春晖
关键词:碳纳米管场发射CVD
文献传递
碳纳米管场致发射冷阴极的研究
本文主要研究了碳纳米管冷阴极的制备及其场致发射性能。对制备得到的碳纳米管场发射冷阴极的场发射性能研究结果表明,碳纳米管场发射冷阴极具有良好的场发射性能,其场发射电流密度可达到6.5A/cm2,是极有希望的具有较大发射电流...
朱春晖
关键词:碳纳米管场致发射电流密度
文献传递
CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究
本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能.结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向足随机的,但大电流发射稳定性...
穆辉张晓兵雷威娄朝刚朱春晖
关键词:碳纳米管丝网印刷法CVD法场致发射
文献传递
大电流场致发射冷阴极的研究
场致发射电子器件同时具有真空器件和微电子器件的优点,体积小、电子运动速度快、工作频率高、工作温度范围大。它在平板显示和大功率微波器件中具有潜在的广泛应用。场发射现象的发现可以追溯到19世纪末,并逐步在高分辨电子显微镜、真...
雷威张晓兵娄朝刚朱春晖
关键词:冷阴极发射电流
两种不同方法制作的纳米碳管场致发射冷阴极的研究
1991年日本NEC研究员S.Ii jima采用电弧放电法得到纳米碳管(CNT)[1]以来,由于其优异的电学性质,各国研究人员和研究机构均把纳米碳管作为新型场发射材料加以研究。纳米碳管导电性强,机械强度高(其强度为钢的1...
朱春晖雷威娄朝刚张晓兵
文献传递
大电流密度碳纳米管阴极的生长及场发射性能研究被引量:6
2004年
研究了碳纳米管作为大电流密度场发射阴极的CVD生长情况与场发射性能。结果表明,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径相近,其生长方向是随机的。根据薄膜厚度与催化剂颗粒的关系,认为通过控制催化剂薄膜的厚度可能会达到调节碳纳米管直径的目的。在实验中获得的碳纳米管具备了良好的场发射性能,在直径为0.13mm的圆形面积上获得的碳纳米管场发射平均电流密度达到1.28A/cm2。
娄朝刚朱春晖张晓兵雷威
关键词:碳纳米管场发射CVD
共1页<1>
聚类工具0