李禹奉
- 作品数：46 被引量：7H指数：2
- 供职机构：京东方科技集团股份有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信理学经济管理化学工程更多>>
- 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
- 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括Cu布线层，所述Cu布线层包括栅电极和/或源漏电极，所述Cu布线层的至少一表面设置有Cu阻挡层，所述Cu阻挡层采用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的任意...
- 李正亮李禹奉宁策孙雪菲
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- 阵列基板及其制作方法和显示装置
- 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法，以及一种显示装置，包括：有源层；与有源层同层设置的触控信号的多个输出电极和多个接收电极；多个接收电极包括多行沿第一方向间隔设置的接收电极；多个输出电极包括多个沿第二方向延伸的输出电极。...
- 张文林李禹奉
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- 一种光电传感器、显示面板及显示装置
- 本实用新型实施例提供了一种光电传感器、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。本实用新型实施例通过在衬底上设置薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的光电二极管，该光电二极管包括依次设置在薄膜晶体管上的P型层和I型层，I型层包括I...
- 邸云萍李禹奉
- 一种电路测试方法及电路测试系统
- 本发明提供一种电路测试方法及系统，用于进行包括电容触摸屏的测量，电容触摸屏包括由若干横向排布的感应线组成的第一电极矩阵和由若干纵向排布的感应线组成的第二电极矩阵；该方法包括：当测试第一电极矩阵或第二电极矩阵中某一感应线时...
- 吴俊纬李禹奉
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- 阵列基板及其制作方法以及显示装置
- 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法以及显示装置，上述阵列基板包括：有源层，其中，在有源层中含氧量高于预设值的位置形成有目标氧化物，目标氧化物的载流子迁移率大于有源层中其他位置的材料的载流子迁移率。根据本发明的技术方案，通...
- 杨维李禹奉宁策张文林
- 利用CF_4等离子体制作高开口率TFT-LCD(英文)被引量：3
- 2006年
- 为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。
- 金奉柱崔瑩石劉聖烈張炳鉉柳在一李禹奉李貞烈
- 关键词：开口率
- Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响(英文)
- 2006年
- 为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好。文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX(Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻。经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300Ω,而且没有ACX引起的问题出现。
- 金原奭金聖雄崔大林柳在一李禹奉李貞烈
- 关键词：ITO接触电阻
- 显示背板及其制作方法和显示装置
- 本发明提供了显示背板及其制作方法和显示装置。该方法包括在基板的一个表面上形成遮光层；在所述遮光层远离所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，形成所述薄膜晶体管的有源层的步骤包括：形成半导体...
- 关峰王路李禹奉杜建华吕杨强朝辉袁广才
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- 薄膜晶体管阵列基板、显示面板、显示装置
- 本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板、显示装置，属于液晶显示领域。其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电...
- 刘翔李禹奉
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- 薄膜晶体管及其制备方法、显示装置
- 本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管包括设置在基底上的沿第一方向延伸的栅电极和第一有源层，所述第一有源层为拱门结构，所述栅电极穿设在所述拱门结构内，所述第一有源层在所述基底...
- 宋泳锡李禹奉
