李雄军
- 作品数：65 被引量：74H指数：6
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 铜掺杂多层石墨烯的制备方法
- 铜掺杂多层石墨烯的制备方法，涉及石墨烯，尤其是一种通过异质铜原子的掺杂，有效地调制多层石墨烯的结构和能级，从而提高多层石墨烯光电性质的铜掺杂多层石墨烯的制备方法。本发明以石墨靶材和铜靶材作为原材料，采用磁控溅射中直流和射...
- 唐利斌姬荣斌项金钟高树雄袁绶章魏虹铁筱滢李雄军左大凡王燕林占文韩福忠
- 文献传递
- 碲镉汞APD焦平面技术研究被引量：2
- 2022年
- 采用LPE生长的中波碲镉汞材料,通过B离子注入n-on-p平面结技术制备了规模为256×256,像元中心距为30μm的碲镉汞APD焦平面探测器芯片。在液氮温度下对其增益、暗电流以及过噪因子等性能参数进行了测试分析,结果表明,所制备的碲镉汞APD焦平面芯片在-8.5 V反偏下平均增益达到166.8,增益非均匀性为3.33%;在0~-8.5 V反向偏置下,APD器件增益归一化暗电流为9.0×10^(-14)~1.6×10^(-13)A,过噪因子F介于1.0~1.5之间。此外,还对碲镉汞APD焦平面进行了成像演示,并获得了较好的成像效果。
- 李雄军张应旭陈虓李立华赵鹏杨振宇杨东姜炜波杨鹏伟孔金丞赵俊姬荣斌
- 关键词：碲镉汞APD增益暗电流
- 基于栅控二极管研究碲镉汞器件表面效应被引量：1
- 2017年
- 采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺制备的器件界面存在较高面密度极性为正的固定电荷,在较高的反偏下形成较大的表面沟道漏电流,对器件性能具有重要的影响.通过钝化膜生长工艺的改进有效减小了器件界面固定电荷面密度,使HgCdTe表面从弱反型状态逐渐向平带状态转变,表面效应得到有效抑制,器件反向特性获得显著改善.此外,基于最优的工艺条件制备的器件界面态陷阱数量得到大幅降低,器件稳定性增强;同时器件R_0A随栅压未发生明显地变化.
- 李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊朱颖峰庄继胜姬荣斌
- 关键词：表面钝化栅控二极管I-V
- 一种用于碲镉汞红外探测器互连凸点的制备方法
- 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器互连凸点的制备方法，包括：对读出电路表面进行清洗；在读出电路电极孔上端进行光刻开孔，然后依次沉积Ti、Pt、Au三层金属，经过剥离得到UBM；完成后在UBM上端进行金属凸点光刻，利用热...
- 杨顺虎杨超伟唐遥王琼芳左大凡王思凡张萤郭瑞杨小艺张学斌李雄军
- 非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其晶化过程研究被引量：9
- 2007年
- 在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe或a-MCT)薄膜的低温生长,获得了射频磁控溅射生长a-HgCdTe薄膜的"生长窗口"。利用X射线衍射(XRD)技术对所生长的薄膜进行分析研究,a-HgCdTe薄膜的XRD衍射为典型的非晶衍射波包。椭圆偏振光谱研究结果表明,a-HgCdTe薄膜与晶态HgCdTe薄膜的折射率和消光系数均表现出明显的差异,椭圆偏振光谱技术可以作为一种非晶态半导体的结构判定手段。在90℃～215℃范围内对非晶态碲镉汞薄膜进行了真空退火处理研究其晶化过程,其晶化温度在130℃～140℃之间。
- 孔金丞孔令德赵俊张鹏举李志李雄军王善力姬荣斌
- 关键词：射频磁控溅射晶化
- 非晶态碲镉汞的光学性质(英文)被引量：1
- 2012年
- 采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶态碲镉汞薄膜的介电函数谱特征与晶态碲镉汞材料的明显不同,表现出与其他非晶态半导体材料类似的"波包"结构特征。基于修正的FB模型在1.0～4.0eV的能量范围内对实验结果进行了拟合分析,得到了不同组分非晶态碲镉汞薄膜的光学带隙随组分关系。通过与单晶碲镉汞光学带隙随组分变化关系的对比研究,结果表明碲镉汞的结构从晶态向非晶态转变过程中,材料的光学待续发生了明显的"蓝移"。
- 孔金丞赵俊孔令德李雄军王光华杨丽丽张鹏举姬荣斌
- 关键词：椭圆偏振光谱光学性质
- 光电探测技术发展趋势初探
- 2019年
- 为了适应未来应用场景目标多样化、环境复杂化、任务多元化的发展需求,光电探测正向多功能、数字化、智能化、分布化、网络化方向发展;为了满足未来超远距离探测、超广域监视、超强抗干扰等应用需求,需要发展宽光谱、大格式、小像元、亚毫开尔文或单光子灵敏度、激光主/被动成像、多维度、多功能集成的智能化光电探测技术;为了同时实现大视场、高分辨率、高灵敏度、高速成像探测,需要探索颠覆传统光电探测体制的新途径。
- 赵俊舒恂王晓璇李雄军李家鹏孔金丞李东升庄继胜
- 关键词：光电探测
- Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究被引量：1
- 2023年
- 昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了363Ω·cm^(2)(λ_(cutoff)=10.5μm@80 K),器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上。研制的非本征Au掺杂长波探测器经历了超过7年的时间贮存,性能无明显变化,显示了良好的长期稳定性。基于Au掺杂碲镉汞探测器技术,昆明物理研究所实现了256×256(30μm pitch)、640×512(25μm pitch)、640×512(15μm pitch)、1024×768(10μm pitch)等规格的长波探测器研制和批量能力,实现了非本征Au掺杂长波碲镉汞器件系列化发展。
- 宋林伟孔金丞赵鹏姜军李雄军方东杨超伟舒畅
- 关键词：暗电流长波红外焦平面
- 一种红外焦平面探测器闪元测试装置及测试方法
- 本发明涉及一种红外焦平面探测器闪元测试装置及测试方法，该装置主要由黑体辐射源、低噪声电子学驱动电路、数据采集卡、计算机等组成。该方法包括：设置探测器工作条件进行基本性能测试得到探测器的盲元；两点非均匀性校正；选择要进行闪...
- 李立华毛京湘姬荣斌李雄军赵鹏舒畅姬玉龙黄俊博李红福马颖婷孔金丞
- 文献传递
- 近化学计量比的HgCdTe薄膜表面处理方法
- 2024年
- 本文采用X射线光电子能谱检测技术分别对溴-甲醇(Br_(2):Me)、溴-氢溴酸(Br_(2):HBr)和溴-氢溴酸-乙二醇(Br_(2):HBr:Eg)3种体系的腐蚀液处理后的HgCdTe表面状态进行了研究,结果表明这3种溴基腐蚀液均会造成HgCdTe表面富碲(Te^(0)),且富碲程度为(Br_(2):HBr:Eg)<(Br_(2):HBr)<(Br_(2):Me)。为了获得接近化学计量比的表面,一般采取先氧化富碲为TeO_(2)后腐蚀的方式去除表面富碲,然而,湿法腐蚀去除表面富碲的方法存在各种缺点。等离子体氧化具有氧化性强,工艺稳定,安全环保等优点,因此本文通过氧等离子体氧化Br_(2):HBr:Eg处理后的HgCdTe表面,进一步研究了盐酸、乳酸和氢氧化铵溶液腐蚀去除HgCdTe表面氧化物的情况,结果表明低浓度的盐酸能够较彻底地去除HgCdTe表面氧化物且不引入碳等其他污染物。在此接近化学计量比的表面制备的CdTe钝化膜与HgCdTe界面孔洞大小及数量显著减小,说明CdTe/HgCdTe界面的缺陷密度更低。
- 王嘉龙刘艳珍杨晓坤黄福云杨超伟李雄军
- 关键词：碲镉汞表面处理近化学计量比
