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林兆军

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇硅双极晶体管
  • 1篇FE
  • 1篇H

机构

  • 1篇河北大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇薄仕群
  • 1篇林兆军

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅双极晶体管的低温h_(FE)被引量：1
1997年
低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M．影响γ的是禁带收缩和基区费米能级．M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应，以上观点与实验结果基本相符合。
林兆军薄仕群
关键词：双极晶体管
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共1页<1>
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