江炳熙
- 作品数：21 被引量：20H指数：3
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自然科学总论机械工程更多>>
- 铒近红外发光的瞬态特性被引量：1
- 1999年
- 报道了用分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光的瞬态特性，首次运用多段式指数衰减公式与高斯函数复合，描述薄膜发光的瞬态过程，理论结果与实验数据十分接近，证实薄膜的定域能级对器件的弛豫发光产生了影响．
- 柳兆洪林凡丝王余姜刘瑞堂江炳熙
- 关键词：硫化锌薄膜瞬态特性铒
- YAlO_3:Er^(3+)晶体偏振荧光的异常现象
- 1993年
- 观察到偏振光谱依赖于激发光波矢的异常现象.归因于各群稀土离子激发几率随激发光传播方向不同而变化的结果.所导出的爱因斯坦自发发射系数表达式定性地解释了实验结果.
- 江炳熙廖远琰李敢生
- 关键词：各向异性
- 不同掺杂浓度Tm^(3+)在YVO_4晶体中光吸收各向异性的研究
- 1999年
- 在室温下测量了３ 种不同的掺杂浓度（６０ ａｔ％ ，４．０ ａｔ％ ，３．２ ａｔ％ ） Ｙ Ｖ Ｏ４： Ｔｍ ３＋ 在２００～９００ ｎｍ波段的吸收光谱。结果指出， Ｔｍ ３＋ 掺杂的 Ｙ Ｖ Ｏ４ 晶体光吸收值随 Ｔｍ ３＋ 浓度而变化，每一谱带形状和结构是相似的；而高掺杂浓度 Ｔｍ ３＋ 的光吸收相对强度比低掺杂浓度的 Ｙ Ｖ Ｏ４ 吸收强；不同晶轴 Ｙ Ｖ Ｏ４ 晶体吸收质显示出各向异性。观察到在ａ 晶轴含有π和σ偏振的吸收谱。简要地讨论了 Ｔｍ ３＋ ： Ｙ Ｖ Ｏ４ 光吸收能级跃迁性质。
- 林秀华江炳熙李雪松
- 关键词：YVO4晶体光吸收谱光学各向异性铥
- 等电子施、受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移
- 1989年
- 本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电子施主Bi隧穿能量转移的结果.变激发密度下各中心发光强度的变化关系以及与GaP∶(Bi)材料的实验结果比较,为这一能量转移过程提供了进一步的论据.
- 刘晓江炳熙林秀华廖远琰袁路娃
- 关键词：磷化镓光致发光
- p-GaP/Au-Sb/Au-Zn体系的接触界面
- 1989年
- 采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn内扩散使界面形成一个较高掺杂浓度的再生长层,可改善M-S欧姆接触性质,此外,界面上还有碳、氧杂质的沾污,有效地清除半导体表面氧化层对于制好欧姆电极是重要的。
- 林秀华江炳熙徐富春
- 关键词：半导体XPS
- Au-Be/P-GaP系统的欧姆接触研究
- 林秀华江炳熙
- 关键词：欧姆接触管芯半导体工艺磷化镓
- 光谱曲线拟合程序的开发与运行的技巧被引量：1
- 2001年
- 针对固体中杂质发光光谱的特殊问题 ,以FORTRAN 77语言编写了多套曲线拟合程序 ,可分别适用于光滑型 ,散粒噪音叠加型及混合型光谱曲线的分解。并介绍了正确使用程序的技巧。对如何获得正确、可靠的拟合结果进行了讨论。
- 林秀华江炳熙谢素原陈丽容
- 关键词：发光光谱程序开发
- 掺铒硫化锌薄膜电致发光的动态特性被引量：2
- 1999年
- 报道了用分舟热蒸发研制的掺饵硫化锌薄膜器件电致发光的动态特性．运用多段式指数衰减公式与高斯函数的乘积来描述薄膜发光的瞬态过程，理论结果与实验数据十分接近，表明薄膜的陷阱能级对器件发光的弛豫效应产生了影响．
- 柳兆洪江炳熙陈谋智刘瑞堂
- 关键词：掺铒硫化锌电致发光动态特性
- GaP：（N）的背景光谱和发光尖峰
- 1995年
- 获得高分辨ＧａＰ：（Ｎ）光致发光光谱，观察到等电子陷阱束缚激子发光中ＬＯ（Γ）和ｌｏｃ多声子发射，其强度分布符合治松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁，并进行了相应讨论．还观察到局域声子效应─—光谱相似定律和相当显著的背景光谱．
- 江炳熙林秀华方江陵
- 关键词：发光光谱磷化镓
- GaP:N晶体中束缚激子的辐射跃迁及其能量转移
- 1989年
- 使用调QYAG:Nd激光器的三倍频脉冲光(λ=355nm)激发GaP:N晶体,测量了9.3～72.2K温度范围内样品的光致发光,研究了在10～250ns不同延迟时间的分辨光谱;借助瞬态谱仪和多道分析器测量了PL谱中NN_1、NN_2荧光强度衰减曲线。
- 林秀华江炳熙叶新民王乃光陈俊德叶丽丽鲁士平
- 关键词：磷化镓束缚激子辐射跃迁晶体
