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王全

作品数：54 被引量：4H指数：1
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 11篇衬底
  • 10篇硅衬底
  • 8篇纳米
  • 8篇纳米线
  • 7篇刻蚀
  • 7篇硅纳米线
  • 6篇图形化
  • 6篇自顶向下
  • 6篇光刻
  • 5篇单晶
  • 5篇电路
  • 5篇电阻
  • 4篇电感
  • 4篇射频
  • 4篇子电路
  • 4篇线条
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇晶体管
  • 4篇可伸缩

机构

  • 54篇上海集成电路...
  • 14篇成都微光集电...
  • 1篇上海华虹(集...

作者

  • 54篇王全
  • 13篇范春晖
  • 9篇周伟
  • 9篇刘林林
  • 5篇胡少坚
  • 4篇全冯溪
  • 4篇郭奥
  • 3篇孙德明
  • 3篇董洁琼
  • 2篇左青云
  • 2篇黄仁东
  • 2篇肖慧敏
  • 2篇曾绍海
  • 2篇曹永峰
  • 2篇李铭
  • 2篇俞柳江
  • 2篇陈立山

传媒

  • 2篇集成电路应用
  • 1篇电子技术（上...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 8篇2018
  • 7篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 10篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2006
共 54 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种静态随机存储单元
本发明公开了一种静态随机存储单元，包括交叉互锁的第一反相器与第二反相器，以及第一、第二传输门晶体管。第一传输门晶体管源/漏极耦接第二反相器的输入端，漏/源极耦接第一位线，栅极耦接字线；第二传输门晶体管源/漏极耦接第一反相...
胡少坚王全郭奥
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一种确定端口寄生电感及可伸缩模型的方法
本发明公开的一种确定端口寄生电感的方法，包括如下步骤：S01：确定待测器件中包含寄生电感的端口；S02：针对每一个含有寄生电感的端口，构建其对应的端口辅助结构；S03：分别建立各端口辅助结构的子电路模型，所述子电路模型中...
刘林林冯悦怡王全郭奥周伟
一种肖特基二极管势垒高度的提取方法
本发明公开了种肖特基二极管势垒高度的提取方法。通过测量肖特基二极管的反向I-V特性曲线，以(-V)<Sup>1/4</Sup>为横坐标，以ln|I|为纵坐标，在一段负偏压区间内外推曲线与纵轴相交，截距为C，得到零偏压下肖...
范春晖王全
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快恢复二极管制备方法
本发明涉及一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：在N‑型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧...
王全董洁琼孙德明周伟
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一种槽栅功率器件及制造方法
本发明提供了一种槽栅功率器件及制备方法，包括：带有漏区、漂移区、沟道区、源区的半导体衬底，位于半导体衬底内的沟槽，位于漂移区内的沟槽表面的第一介质层和沟道区内的第二介质层，以及填充于第一和第二介质层中的多晶硅，其中，第一...
范春晖王全
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用于射频MOS器件建模的测试系统和射频MOS器件的建模方法
本发明提供一种用于射频MOS器件建模的测试系统和射频MOS器件的建模方法。该测试系统中，从测试结构采用与主测试结构不同的电极设置，其中第二MOS器件的源极和漏极分别连接两个测试端口，而栅极单独接出以便于设置相应的偏压，如...
刘林林冯悦怡王全
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带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一带有绝缘埋层的半导体结构，包括：支撑衬底、通过绝缘埋层与所述支撑衬底隔离的顶层半导体层，形成于所述顶层半导体层上的MOS晶体管结构，其特征在于，所述顶层半导体层和绝缘埋层之间还包括半导体...
范春晖王全
量子点的制造方法
本发明公开了一种量子点的制造方法，利用在光刻刻蚀后第一光刻胶线条的两侧形成第一侧墙，第一侧墙厚度即为后续制得量子点的一维尺寸，随后在第二光刻胶的两侧形成第二侧墙，第二侧墙厚度即为量子点另一个一维尺寸，由此来精确控制量子点...
王全范春晖
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一种硅纳米线的制备方法
本发明提供一种硅纳米线的制备方法，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅衬底、位于底硅衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶硅膜；在顶硅膜上形成氮化硅层；利用第一掩模板光刻定义有源区，刻蚀去除有源区以外的氮化硅层；...
范春晖王全
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一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法
本发明公开了一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，包括如下步骤：S01：在硅衬底上形成待测器件及其对应的开路去嵌结构和短路去嵌结构；S02：对上述待测器件、开路去嵌结构和短路去嵌结构进行S参数测试；S03：应用电磁场仿真...
王全刘林林冯悦怡
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