胡恺生
- 作品数：15 被引量：13H指数：2
- 供职机构：天津电子材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>
- 多模光纤损耗突变(台阶)的研究被引量：1
- 1991年
- 本文用OTDR、Vikers显微观察仪和腐蚀等手段观察了损耗台阶附近的光纤断面、侧面和光纤长度方向的情况,力图找出台阶出现的原因。分析表明,台阶的形成可能是拉丝过程中光纤抖动,造成光纤局部应力(微弯)引起的。
- 胡恺生黄秀钦周智惠
- 关键词：多模光纤损耗突变光纤传输线
- γ辐照掺饵光纤特性
- 胡恺生李宗祥李诰
- 关键词：光导纤维光子辐照损耗测定
- GaN单晶薄膜的湿法化学刻蚀研究被引量：2
- 1997年
- ＭＯＣＶＤ用高压汞灯对ｎ－ＧａＮ处延层进行了辐照湿法化学刻蚀研究，这种外延层是在Ａ１２Ｏ３衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的。结果表明：在紫外光照下，ｎ－ＧａＮ层在２５％的ＫＯＨ水溶液中腐蚀较有效。这种腐蚀很可能是通过紫外光增强氧化和还原反应而产生的。
- 姚冬敏胡恺生江风益范广涵
- 关键词：UV刻蚀氧化镓单晶湿法
- 深能级及其在发光研究中的应用
- 1995年
- 本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱（ＤＬＴＳ）、光致发光（ＰＬ）、光电容（ＰＣ）及用它们研究不同发光材料和器件的结果．其中包括发光二极管的效率和退化过程、ＧａＮ材料中蓝色发光深中心、ＺｎＳ场致发光薄膜的初始载流子源以及用ＭＯＣＶＤ法生长Ⅲ－Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析，它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究，在不同的领域中所取得的进展。
- 高瑛赵家龙刘学彦苏锡安粱家昌胡恺生
- 关键词：深能级场致发光
- 掺Er^(3+)光纤的γ射线辐射特性
- 1992年
- 本文研究掺Er^(3+)光纤的γ射线辐射特性,发现在800到1600nm之间损耗都有显著的增加,有的增加800倍之多。光纤的γ射线辐照损耗特性具有β射线辐照类似的规律性。用γ射线的康普顿效应半定量地解释了这种类似性。对γ射线辐照损耗进行紫外线UV漂白,表明比热退火有更好的效果,能使损耗恢复50%。指出选用原子序数小的元素作光纤掺杂剂会有利于光纤抗辐照性能的提高。
- 胡恺生李宗祥宁鼎李浩周建平刘为民
- 关键词：掺铒光纤Γ射线
- 非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱被引量：5
- 1999年
- 研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４０～０．７０ｅＶ范围发现了一个光响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９、０．５６和０．６９ｅＶ峰的起始阈值分别为０．４４、０．４７、０．５１和０．６７ｅＶ。本文讨论了Ｍ１带的起源，提出了０．４４、０．４７和０．５１ｅＶ光电离阈值与铜受主、ＥＬ３和氧施主间的可能联系，并研究了Ｍ１带与ＧａＡｓ场效应晶体管漏－源电流光响应特性的关系。
- 杨瑞霞胡恺生周智慧周智慧
- 关键词：光电流谱场效应晶体管砷化镓
- 紫外辐照和温度对掺铒(Er^(3+))单模光纤特性的影响
- 1992年
- 本文介绍了紫外(UV)辐照和温度对掺饵单漠光纤特性影响的研究结果,揭示了这种光纤几个铒离子特征吸收峰在UV辐照及温度影响下有较大幅度的增大,提供了用MCVD法及液相掺杂工艺制备的掺铒单模光纤性能的改善方法。
- 胡恺生李宗祥宁鼎
- 关键词：紫外辐射温度
- 掺铒(Er＃+[3＋]光纤电子辐照特性
- 胡恺生李宗祥李浩
- 关键词：铒光导纤维损耗
- 掺稀土离子特种光纤材料
- 1引言在光纤芯部掺入微量稀土离子的特种光纤可被制成多种有源和无源器件,如光纤激光器放大器、滤波器和传感器等,属光纤激光器和放大器的研制、开发最为普遍,并已应用于实际光纤通信中去。光纤放大器在降低中继成本的同时,还能提高传...
- 陈苗祥申云华胡恺生
- 文献传递
- 纯绿LED的辐射机理和深能级研究
- 1992年
- 本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光谱的变化,探讨了影响纯绿LED效率的主要因素.
- 高瑛赵家龙苏锡安刘学彦胡恺生丁祖昌毋必先华为民
- 关键词：发光器件LED能级
