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董骁

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体功率器...
  • 4篇场板
  • 3篇寄生效应
  • 3篇薄膜SOI
  • 2篇栅极
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电路
  • 1篇电阻
  • 1篇阴极
  • 1篇源极
  • 1篇漂移
  • 1篇漂移区
  • 1篇闩锁
  • 1篇节能
  • 1篇节能减排
  • 1篇空穴
  • 1篇集成电路

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇乔明
  • 6篇董骁
  • 5篇张波
  • 4篇方健
  • 4篇李肇基
  • 3篇蒋林利
  • 3篇赵磊
  • 2篇廖红
  • 2篇蒋苓利
  • 2篇杨帆
  • 2篇刘新新
  • 1篇杨舰
  • 1篇刘娟
  • 1篇樊航
  • 1篇王卓
  • 1篇罗波
  • 1篇李建国
  • 1篇罗波
  • 1篇曹奎

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 3篇2009
  • 3篇2008
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种SOI LIGBT器件
一种SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在器件阴极侧增加一个收集阳极注入空穴的深结P<Sup>+</Sup>掺杂区(15)，以降低流过阴极N<Sup>+</Sup>区(11)下P型体区(8)中的...
乔明蒋苓利董骁杨帆刘新新廖红张波
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一种带有场板结构的高压SOI LDMOS特性研究
本文分析研究了一种带有场板结构的高压SOI LDMOS器件的设计及特性。器件采用了厚的LOCOS结构和线性变掺杂的漂移区以获得均匀的电场分布和高的耐压值。器件的击穿电压与项层硅层的厚度有很大关系，越薄的硅层可以实现越高的...
董骁乔明罗波曹奎
关键词：场板结构漂移区导通电阻
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具有源极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件
本发明属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层较薄(1～2μm)；栅氧化层较厚(100～800nm)；源极跨过栅极上方并延伸至漂移区的上方。器件体区中还可具有位于厚栅氧下方并与源区相连的有源扩展区，以使整个器件更加有效的...
乔明董骁赵磊蒋林利张波李肇基方健
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具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件
本发明属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层较薄(1～2μm)；栅氧化层较厚(100～800nm)；栅极场板跨过栅极上方并延伸至漂移区的上方。器件体区中还可具有位于厚栅氧下方并与源区相连的有源扩展区，以使整个器件更加有...
乔明赵磊董骁蒋林利张波李肇基方健
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薄层SOI高压驱动集成电路
乔明张波李肇基方健王卓杨舰蒋苓利杨帆刘新新罗波董骁廖红刘娟樊航李建国
该成果围绕SOI高压器件耐压与背栅效应、高压互连技术和高低压兼容工艺进行研究。提出SOI高压器件的体内场降低REBULF技术，提出薄层SOI高压器件的场氧离子注入IFO技术。基于上述技术，开发1μm超薄层SOI高低压兼容...
关键词：
关键词：集成电路节能减排半导体器件
具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件
本发明属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层较薄(1～2μm)；栅氧化层较厚(100～800nm)；栅极场板跨过栅极上方并延伸至漂移区的上方。器件体区中还可具有位于厚栅氧下方并与源区相连的有源扩展区，以使整个器件更加有...
乔明赵磊董骁蒋林利张波李肇基方健
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