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文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇扫描隧道显微...
  • 2篇禁带
  • 2篇禁带宽度
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌表征
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化锌
  • 1篇扫描探针
  • 1篇物理化学
  • 1篇物理化学性能
  • 1篇纳米金刚石薄...
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇掺钴
  • 1篇场发射

机构

  • 4篇香港中文大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 4篇薛坤
  • 3篇许建斌
  • 2篇徐明生
  • 2篇贺仲卿
  • 2篇安锦
  • 2篇张荣耀

传媒

  • 1篇电子显微学报
  • 1篇第九届全国青...
  • 1篇第十届全国扫...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 2篇2003
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
掺钴氧化锌的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
谢伟广薛坤夏大雪许建斌
纳米金刚石薄膜的扫描探针及微观场发射性能研究
纳米金刚石薄膜作为真空电子场发射器件的一种重要材料,由于其优异的物理化学性能和良好的场发射能力而日益得到广泛的研究和应用。电子场发射性能与金刚石薄膜的表面形貌、电导和电子表面态等密切相关,对其纳微结构与场发射性能之间的内...
陈建张卫红薛坤安锦
关键词:纳米金刚石薄膜扫描探针物理化学性能
文献传递
二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
用超高真空热氧化方法在 Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示,在超薄范围二氧化硅呈层状生长, 不同层的微分电导谱所...
薛坤许建斌贺仲卿徐明生安锦张荣耀
关键词:禁带宽度
文献传递
二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
2003年
用超高真空热氧化方法在Si(1 1 1 )清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜 ,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示 ,在超薄范围二氧化硅呈层状生长 ,不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约 3eV 。
薛坤许建斌贺仲卿徐明生安锦张荣耀
关键词:扫描隧道显微镜禁带宽度形貌表征半导体材料
共1页<1>
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