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袁文愈

作品数:3 被引量:6H指数:2
供职机构:西安理工大学更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇单晶炉
  • 1篇电路
  • 1篇引上法
  • 1篇中频感应
  • 1篇坩埚
  • 1篇系统功率
  • 1篇线圈
  • 1篇线圈电阻
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率
  • 1篇
  • 1篇磁感应强度
  • 1篇大规模集成电...

机构

  • 3篇西安理工大学

作者

  • 3篇袁文愈
  • 1篇薛抗美
  • 1篇王庆
  • 1篇李琦
  • 1篇刘丁
  • 1篇蒋剑
  • 1篇焦尚彬

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2003
  • 1篇2000
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
单晶炉勾形磁场装置
本实用新型公开的一种单晶炉勾形磁场装置,包括屏蔽护罩,屏蔽护罩的一侧设置有水路,水路的外部设置有水路护罩,屏蔽护罩的下方设置有升降机构,升降机构的一侧设置有用于驱动升降机构的升降电机,屏蔽护罩内平行设置有上层线圈和下层线...
焦尚彬刘丁李琦蒋剑袁文愈
文献传递
我国晶体生长设备的现状与发展被引量:3
2000年
1 我国晶体生长设备的现状我国人工晶体材料有了很大的发展 ,多种晶体处于世界先进水平。然而 ,从整体来看还很不适应国民经济和国防建设高速发展的需要 ,装备的制约是主要因素之一。在晶体材料的研究和开发方面 ,应重视材料的技术水平和技术指标 ,也需要相应的先进工艺装备的研究以及高技术产业的建设。至今 ,不少单位仍使用 6 0年代的TDK 36和TDK 36AZ型硅、锗单晶炉生长氧化物晶体材料 ,机械传动爬行和振动很大 ,电器自动控制精度很低 ,部件已磨损和腐蚀 ,很难满足晶体生长的基本条件。JDL 4 0型激光晶体炉 ,80年通过机械部和电子部组织的鉴定。 2 0年来西安理工大学共生产 4 0型晶体炉 89台 ,加上北京十一所近年生产的约 4 0台 ,12 0余台 4 0型激光晶体炉是当今我国氧化物晶体直拉生长的主要设备。但该炉型从投料量和自动化水平方面已不能适应晶体发展的需要。为此 1998年西安理工大学研制成功TDL J75型晶体炉 ,该炉具有如下特点。(1)高精度的提拉系统 ,采用精密滚珠丝杠传动 ,直线滚动导轨导向 ,没有滑动摩擦 ,爬行大幅的减小。电机传动采用 1:10 0 0 0的谐波减速 ,进一步提高传动精度。标尺采用刻度为 0 .0 0 1mm光栅尺 ,提高了行程指示精度。结构上便于安装上称重系统 ,为今后提高自动化水平提?
袁文愈
关键词:单晶炉
使用TDL-J75型单晶炉生长大直径YAG晶体工艺被引量:3
2003年
本文结合作者生产、实验工作 ,介绍了使用TDL J75型单晶炉 ,采用中频感应加热、铱坩埚引上法生长直径 5 0~ 75mm、单晶重量 36 0 0g左右的YAG晶体工艺。用该工艺生长直径 5 0mm晶体的合格率可达 85 %以上 ,生长直径75mm晶体的合格率达 75 %以上 。
黄永臣薛抗美颜声辉袁文愈刘鹏王庆
关键词:单晶炉晶体生长中频感应引上法
共1页<1>
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