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许华

作品数:83 被引量:233H指数:9
供职机构:中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域:理学核科学技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 33篇专利
  • 13篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 22篇理学
  • 11篇电子电信
  • 11篇核科学技术
  • 8篇金属学及工艺
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 28篇溅射
  • 27篇磁控
  • 24篇磁控溅射
  • 22篇微球
  • 11篇直流磁控
  • 10篇涂层
  • 10篇聚变
  • 9篇直流磁控溅射
  • 9篇惯性约束
  • 9篇惯性约束聚变
  • 8篇真空镀膜
  • 7篇粗糙度
  • 6篇表面形貌
  • 5篇镀膜机
  • 5篇真空镀膜设备
  • 5篇碰撞
  • 5篇溅射制备
  • 4篇等离子体化学...
  • 4篇电机
  • 4篇通孔

机构

  • 80篇中国工程物理...
  • 7篇西华师范大学
  • 6篇四川大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 81篇许华
  • 49篇何智兵
  • 30篇李俊
  • 29篇刘艳松
  • 24篇陈志梅
  • 24篇吴卫东
  • 20篇王涛
  • 19篇何小珊
  • 15篇唐永建
  • 15篇李朝阳
  • 12篇魏胜
  • 11篇袁光辉
  • 9篇谢军
  • 9篇李玉红
  • 8篇蒋柏斌
  • 8篇初巧妹
  • 8篇任玮
  • 8篇杨洪
  • 8篇高莎莎
  • 6篇廖国

传媒

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  • 7篇原子能科学技...
  • 3篇材料导报
  • 2篇表面技术
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料科学与工...
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  • 1篇第十三次全国...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2019
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  • 12篇2017
  • 15篇2015
  • 7篇2014
  • 3篇2013
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  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 6篇2005
  • 3篇2004
  • 4篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
83 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
埋点靶制备工艺研究
2002年
研究了激光惯性约束聚变 (ICF)实验中一种基础基准靶埋点靶的制备工艺过程。埋点靶的制备过程主要包括CH膜的制备、埋点的定位和埋点材料的制备。其中 ,CH薄膜的制备及其性质是制备埋点靶的关键工艺环节。最后给出了埋点靶的制备工艺流程。
张占文许华魏胜吴卫东余斌张昭瑞黄丽珍罗青袁玉萍高党忠袁光辉郑永铭陆晓明
关键词:激光惯性约束聚变
埋点靶中CH薄膜的制备工艺研究被引量:8
2001年
CH薄膜的制备是埋点靶制备的关键技术之一,主要研究了钨丝辅助裂解制备CH薄膜的制备工艺。研究表明蒸发舟温度和衬底温度对沉积速率影响较大,而衬底距离对沉积速率影响较小;红外光谱和质谱分析表明薄膜的主要成分是聚对二甲苯。
张占文吴卫东许华余斌黄勇魏胜
关键词:沉积速率
铝丝镀镁自适应丝阵负载的研制及应用
采用 Al-Mg 合金(Mg 含量大于10wt.%)丝构成丝阵负载,通过测量 Mg 的 K谱线在 Z 箍缩丝阵内爆动力学、辐射脉冲整形、诊断技术,特别是双层丝阵的内爆过程及辐射机理研究方面具有重要意义。通过常规冶炼方法难...
周秀文余斌许华蔡红梅孙祚科何智兵
文献传递
工作气压对磁控溅射Mo膜的影响被引量:4
2011年
采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1~0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5~1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好。
廖国王冰张玲牛忠彩张志娇何智兵杨晓峰李俊许华陈太红曾体贤谌家军
关键词:直流磁控溅射MO薄膜工作气压沉积速率表面形貌
膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响被引量:9
2008年
采用直流磁控溅射方法制备膜厚为50,100,200,400,600 nm的Nb薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、晶体结构进行了研究,并对其应力和择优取向进行了详细的分析。原子力显微镜图像显示Nb膜表面光滑、致密,均方根粗糙度达到0.1 nm量级。X射线小角衍射给出了薄膜的晶格结构、晶粒尺寸和应力情况。分析表明薄膜为多晶体心立方结构(bcc),在(110)晶面方向存在明显的择优取向,且随着薄膜厚度增大而增强。Nb膜应力先随薄膜厚度增大而增大,在200 nm时达到最大值(为1.0151 GPa),后随薄膜厚度的增大有所减小。
林华平吴卫东何智兵许华李俊王锋李盛印张宝玲宋萍江玲谌家军唐永建
关键词:直流磁控溅射
柱状样品表面涂层工件架
本实用新型提供了一种柱状样品表面涂层工件架,所述工件架中的驱动电机带动驱动齿轮转动,同时带动主齿轮转动;自传齿轮通过自转齿轮托架与主齿轮固定连接,主齿轮带动自转齿轮在固定齿轮上转动;固定齿轮与固定中间轴固定连接,固定中间...
刘艳松何智兵许华李俊何小珊王涛
文献传递
溅射功率对碳化硼薄膜组分与力学性能的影响被引量:7
2013年
采用射频磁控溅射技术,在不同溅射功率条件下制备了碳化硼薄膜,并用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对碳化硼薄膜的组分进行了定量表征,分析了功率变化对碳化硼组分的影响。利用纳米压入仪通过连续刚度法(CSM)对碳化硼薄膜的硬度和模量等力学性能进行了分析。研究表明:随着功率的增大,硼与碳更易结合形成B—C键,在功率增大到250 W时,B—C键明显增多;在250 W时,硼与碳的原子分数比出现了最大值5.66;碳化硼薄膜的硬度与模量都随功率的增大呈现出先增大后减小的趋势,且在250W时均出现了最大值,分别为28.22GPa和314.62GPa。
张玲何智兵李俊许华谌家军
关键词:X射线光电子能谱力学性能磁控溅射溅射功率
用于微波等离子体环境的微球驱动装置
本实用新型公开了一种用于微波等离子体环境的微球驱动装置,涉及涂层制备技术领域,采用的技术方案是:用于微波等离子体环境的微球驱动装置,包括拨杆、微球盘、真空驱动电机、铜座和微波屏蔽腔板,拨杆和微球盘为石英玻璃材质,拨杆由直...
王涛何小珊陈果刘艳松何智兵李俊许华陈志梅杜凯
用于等电子谱线法诊断电子温度的Mg/Si混合膜制备工艺研究被引量:4
2002年
进行了在单靶头磁控溅射装置上采用复合靶溅射制备Mg/Si混合膜的工艺研究 ,制备出了不同组分的Mg/Si混合膜 ,并利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )、透射电镜 (TEM )等测试手段 ,对混合膜的结构进行了初步分析。分析结果表明 :Mg/Si混合膜中的镁以单取向多晶形式存在 。
许华吴卫东陈志梅唐晓虹黄勇唐永建
关键词:电子温度磁控溅射惯性约束聚变等离子体
精密真空微球拨动装置
本发明提供了一种精密真空微球拨动装置,所述装置包括真空机械手、真空接口法兰、接地导线、微球盘、步进电机、步进电机支撑及角度调节平台、连接头。真空机械手含有导电刷、真空万向密封球头、机械手柄。所述装置中,真空机械手与真空接...
王涛何智兵刘艳松陈志梅李俊许华
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