谢雁
- 作品数：13 被引量：13H指数：2
- 供职机构：青岛化工学院等离子体表面技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信理学一般工业技术更多>>
- 等离子体化学气相沉积反应中对温度因素的控制被引量：1
- 1996年
- 采用了外加热式直流等离子体化学气相沉积及渗金属工艺并在放电工件上直接测温的方法，克服了高于轰击加热引起的温度不均匀等因素并且膜的结构及力学性能得以改善。
- 谢雁赵程彭红瑞李世直
- 关键词：等离子体化学气相沉积放电测温离子轰击
- 外加热式离子氮化高速钢的研究被引量：4
- 1996年
- 用外加热方式在管状反应室中对高速钢试样进行离子氮化，对氮化层的厚度变化、表面硬度及冲击韧性随Ｈ２／Ｎ２、渗氮温度及时间的变化进行研究。
- 谢雁赵程李世直
- 关键词：离子氮化高速钢渗氮
- TiN膜的电子显微分析
- 1990年
- 由于TiN膜具有耐磨、搞腐蚀、导热性好的特点,所以近十几年来人们在此方面作了大量研究工作。认为TiN膜的晶体结构是影响其性能的主要因素。Mathews等人指出在相同硬度下,具有(200)取向比(111)取向的Tin膜更耐磨。而valvoda指出取向程度越低硬度越高。所以说研究膜的取向问题是十分必要的。我院薄膜研究室从87年开始,就对射频等离子体化学气相沉积TiN膜进行研究。本文就是采用该室的Tin膜,对不同沉积时间的膜进行TEM、SEM和X-射线衍射分析。样品制备:1)Tin膜的制备是13.56HZ射频等离子体化学气相沉积的TiN膜。2)
- 谢雁成世逵
- 关键词：TIN膜电子显微分析
- PCVD硬质涂层反向处理的初步研究
- 涂镀后再进行热处理的方法不但可以提高基体材料的硬度，而且还改善了涂层的质量。试验结果表明，热处理后的涂层与基体结合良好，涂层的显微硬度略有提高。显微分析也表明，通过热处理可以较大幅度地提高涂层结晶程度和致密度，减少涂层内...
- 彭红瑞石玉龙谢雁李世直赵程
- 关键词：气相沉积金属表面强化等离子体化学气相沉积硬质涂层
- 射频等离子体化学气相沉积择优取向膜的研究被引量：3
- 1996年
- 用Ｘ－衍射的方法分析影响射频等离子体沉积择优取向的ＴＩＮ膜，取向的原因。
- 谢雁李世直
- 关键词：射频等离子体
- 辅助外加热方式直流等离子体化学气相沉积TiN的研究
- 1997年
- 1 引 言 单纯靠离子轰击加热的直流等离子体化学沉积 TiN在刀具、刃具及各种耐磨工件上的应用已取得良 好的结果,就其工艺而言,由于影响离子轰击的因素 很多造成工艺参数控制复杂,重复性差,温度不均匀等缺点。90年代起本所开始采用了辅助外加热方式沉积技术,改变了单纯依靠离子轰击加热而带来了弊端。将反应时等离子体放电强度与放电工件温度分离,从而提高了工艺的稳定性。
- 谢雁赵程李世直
- 关键词：氮化钛化学气相沉积喷镀
- TiN膜的电子显微分析
- 1989年
- 本文是用JEM-2000EX型电镜,对射频等离子体沉积的TiN薄膜进行具体分析,从而得到TiN的形貌及晶体结构。
- 谢雁成世逵李世直
- 关键词：射频等离子体电子显微镜
- 新型射频等离子化学气相沉积系统
- 1992年
- 设计了一种射频电极作为基板支架的射频等离子体化学气相沉积系统.其温度可达700℃,负偏压是可调的.并以沉积的TiN膜的取向为例说明了系统的工作情况.
- 曲承林谢雁李世直
- 关键词：射频等离子体气相沉积
- RF-PCVD沉积参数对TiN沉积速率的影响被引量：1
- 1995年
- 用射频等离子体沉积TiN膜，对影响薄膜生长的因素作了研究。特别是H2，N2，TiCl4及射频功率、偏压对膜生长速率的影响进行了报导。
- 谢雁李世直
- 关键词：沉积速率射频功率
- 辅助加热PCVD-TiN薄膜的制备及影响因素被引量：1
- 1998年
- 研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明，提高反应气体中ＴｉＣｌ４的含量可以提高薄膜的沉积速率，而且对薄膜内的氯含量没有影响。提高反应气体中的Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）可以略降低薄膜内的氯含量，在Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）＝２，ＴｉＣｌ４的体积分数为１０％左右时ＴｉＮ薄膜的硬度最高。随着反应气压的升高，沉积速率呈正比上升而显微硬度却下降。
- 彭红瑞石玉龙谢雁李世直赵程
- 关键词：PCVDTIN薄膜
