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郭斌

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 7篇异质结
  • 7篇异质结双极晶...
  • 7篇双极晶体管
  • 7篇晶体管
  • 7篇SIGE异质...
  • 7篇SIGE异质...
  • 4篇集电结
  • 2篇电离
  • 2篇优值
  • 2篇碰撞电离
  • 2篇总集
  • 2篇闩锁
  • 2篇闩锁效应
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇空间电荷区
  • 2篇击穿电压
  • 2篇集电区
  • 2篇发射结
  • 2篇发射区

机构

  • 8篇北京工业大学

作者

  • 8篇郭斌
  • 6篇金冬月
  • 6篇陈蕊
  • 4篇陈虎
  • 2篇郭燕玲
  • 1篇崔玲丽
  • 1篇赖为民
  • 1篇李建文
  • 1篇魏厚培
  • 1篇胡邦喜
  • 1篇马卫东
  • 1篇王灿敏
  • 1篇高立新
  • 1篇向爱霞
  • 1篇周志裕
  • 1篇张键
  • 1篇肖永钢
  • 1篇卢开颜
  • 1篇张剑平
  • 1篇刘新启

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2006
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管
本发明公开了一种等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管仅具有一个Si发射区(24)以及多个数量相等的Si集电区(22)和SiGe基区(23)来构成多个子晶体管共用一个发射区的晶体管。各子晶体管的Si集电区(...
金冬月郭斌张万荣那伟聪陈蕊杨邵萌
具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管
本发明公开了一种具有高特征频率‑击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N<Sup>+</Sup>埋层结构来显著提高N<Sup>‑</Sup>集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的...
金冬月王利凡张万荣陈蕊郭燕玲郭斌陈虎
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等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管
本发明公开了一种等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管仅具有一个Si发射区(24)以及多个数量相等的Si集电区(22)和SiGe基区(23)来构成多个子晶体管共用一个发射区的晶体管。各子晶体管的Si集电区(...
金冬月郭斌张万荣那伟聪陈蕊杨邵萌
文献传递
具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管
本发明公开了一种具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管。晶体管采用由SiO<Sub>2</Sub>绝缘层和Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>绝缘层组成的多层绝缘层结构，可以有效减小衬底寄生...
金冬月郭斌张万荣陈蕊王利凡陈虎贾晓雪
设备诊断等技术在冷轧硅钢片厂“万点受控”工程中的研究与应用
高立新胡邦喜马卫东黄坤平赖为民郭斌卢开颜尹玉贵刘新启王灿敏张键魏厚培张剑平向爱霞周凤星周志裕肖永钢崔玲丽李伟李建文叶辉
该项目将人工、离线系统和在线系统相结合，把振动、电参数、扭距、温度、湿度、压力监测有机结合在一起，通过监测、诊断和事故分析的结合，形成全面、完整、准确和科学的设备状态信息处理流程和专家决策机制，使重点设备处于受控状态。该...
关键词：
关键词：冷轧硅钢片远程监测
具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管
本发明公开了一种具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管。晶体管采用由SiO<Sub>2</Sub>绝缘层和Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>绝缘层组成的多层绝缘层结构，可以有效减小衬底寄生...
金冬月郭斌张万荣陈蕊王利凡陈虎贾晓雪
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SOI基横向SiGe HBTs热设计研究
SOI基横向SiGe异质结双极晶体管(Lateral SiGe Heterojunction Bipolar Transistors on Silicon-On-Insulator，SOI SiGe LHBTs)具有衬底...
郭斌
具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管
本发明公开了一种具有高特征频率‑击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N<Sup>+</Sup>埋层结构来显著提高N<Sup>‑</Sup>集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的...
金冬月王利凡张万荣陈蕊郭燕玲郭斌陈虎
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