阳生红
- 作品数：45 被引量：71H指数：5
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- SiC及其离子束技术在SiC研究中的应用
- 2000年
- 本文阐述了宽禁带半导体材料SiC的晶体结构、材料特性及制备方法。同时综述了离子束技术在SiC研究中的应用。其中包括SiC的离子束合成、掺杂、器件隔离与钝化。
- 阳生红
- 关键词：SIC晶体结构碳化硅离子束合成掺杂
- 全文增补中
- Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的制备及性能研究
- 2006年
- 用化学溶液法在P-S i(100)衬底上制备出了一系列不同退火温度的B i3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜。通过X-射线衍射、扫描电镜及椭偏光谱测量研究,得到了一系列BLT薄膜结晶状况、表面形貌及光学常数谱。其结果显示:BLT薄膜表面均匀、致密,没有裂纹;随着退火温度的升高BLT薄膜晶化越来越好,当退火温度为690℃时,BLT基本完全晶化;非晶态的BLT薄膜折射率明显低于晶态BLT薄膜的折射率,随着BLT薄膜退火温度的增加,薄膜折射率n增大且其消光系数k也略有增加。
- 杜凤娟张曰理刘毅阳生红
- 关键词：BLT化学溶液法光学常数
- 一种红光大幅提高且单色性优异的上转换荧光粉及其制备方法
- 本发明公开了一种红光大幅提高且单色性优异的上转换荧光粉及其制备方法。本发明一种红光大幅提高且单色性优异的上转换荧光粉，其化学式表示为NaLuF<Sub>4</Sub>:20%Yb/1%Tm/20%Er/xLi，其中x=8...
- 张曰理林浩阳生红徐德康李安明
- 文献传递
- KNSBN:V晶体材料制备及光诱导吸收研究
- 2000年
- 成功地生长、制备出了一系列合不同掺钒浓度的钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ：Ｖ）晶体样品。测量了在不同光强、光偏振和掺钒浓度下 ＫＮＳＢＮ晶体的光诱导吸收变化。实验结果显示，ＫＮＳＢＮ：Ｖ晶体存在较强的光诱导吸收，且其光诱导吸收变化明显依赖于泵浦束光强，探测束光偏振和晶体的掺钒量，对于探测束光偏振平行和垂直于ｃ轴的情况，其值分别可达０．５５和 ０． ２２ｃｍ－１。对实验结果进行了解释。
- 张曰理李辉遒阳生红莫党
- 关键词：光折变材料钾钠铌酸锶钡
- 溶胶-凝胶法制备Al-Y共掺杂ZnO薄膜及其性能研究
- 采用溶胶-凝胶法,在玻璃衬底上制备出Al-Y共掺杂的ZnO透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)表明,Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。制备的Al-Y共掺杂ZnO薄膜电阻率最小值...
- 阳生红张日理汤健王旭升
- 关键词：溶胶-凝胶
- 文献传递
- 退火温度对Co掺杂CeO_2稀磁氧化物薄膜的结构和铁磁性能的影响
- 2017年
- 采用溶胶-凝胶法,在Si(100)和石英玻璃衬底上制备了3%Co掺杂CeO_2稀磁氧化物薄膜,研究了不同退火温度(500℃,600℃和700℃)对薄膜结构和铁磁性能的影响。XRD和拉曼光谱结果表明,随着退火温度的升高,薄膜晶化度明显提高。不同退火温度下的3%Co掺杂CeO_2薄膜为多晶薄膜,且未破坏CeO_2原有的结构。随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大。另外,3%Co掺杂CeO_2薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其室温下的光学带隙Eg随退火温度增加而减小。超导量子干涉磁强计(SQUID)测量表明所有样品都表现出室温铁磁性,随着退火温度的升高,饱和磁化强度和矫顽力增大,700℃退火的薄膜具有最大的饱和磁化强度和最大的矫顽力。不同退火温度导致样品的磁性有了明显的变化,这源于磁性产生的不同机理。可见薄膜的结构最终影响了其铁磁性能。
- 阳生红张曰理
- 关键词：稀磁半导体薄膜
- 一种红绿比大幅提高的上转换荧光粉及其制备方法
- 本发明公开了一种红绿比大幅提高的上转换荧光粉及其制备方法。本发明一种红绿比大幅提高的上转换荧光粉，其化学式表示为NaLuF<Sub>4</Sub>:20%Yb/1%Tm/xEr，其中，x=10~20%。实验结果表明，高掺...
- 张曰理林浩阳生红徐德康李安明
- C^+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱被引量：2
- 2000年
- 用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较完整的单晶 Si,埋层β- Si C分成三层微结构 ,表层 Si与β- Si C埋层界面和β- Si C埋层与体硅界面亦不相同 .这些结果与 X射线光电子谱 ( XPS)和横截面透射电子显微镜 ( TEM)
- 阳生红李辉遒莫党陈第虎黄世平
- 关键词：碳化硅椭偏光谱离子注入
- 熔盐法制备掺Nd铁酸铋粉末研究
- 2013年
- 采用熔盐法制备出了一系列不同Nd掺杂量的铁酸铋粉末,通过X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)分析了掺Nd铁酸铋粉末的晶相结构及表面形貌,研究了反应时间、温度及Nd掺杂量等条件对熔盐法制备掺Nd铁酸铋粉末的影响;利用量子公司的PPMS-VSM磁性测量系统测量了不同掺杂量下的磁滞回线。结果表明:适量Nd的加入有利于铁酸铋相的合成;随着掺Nd量的增加,Nd铁酸铋粉末晶相结构出现改变,在Nd掺杂量为17.5%附近时,其晶体结构由三方相转变为正交相;反应时间、温度影响掺Nd铁酸铋的晶粒大小和表面形貌,且满足奥斯特瓦尔德熟化机制;利用熔盐法合成的掺Nd铁酸铋的磁性较纯的铁酸铋有显著提高。
- 陈华洲郭嘉阳阳生红张曰理
- 关键词：熔盐法铁酸铋稀土掺杂
- 钆离子掺杂氟化镥钠上转换纳/微米晶制备方法
- 本发明公开一种具有红光增强效应的钆离子掺杂氟化镥钠上转换纳/微米晶及其制备方法，包括：将柠檬酸溶液与去离子水混合，磁力搅拌后，依次加入硝酸镥、硝酸镱、硝酸铒、硝酸铥、硝酸钆溶液，搅拌均匀后，添加氟化钠溶液，并加入相应的去...
- 张曰理林浩阳生红徐德康李安明
- 文献传递
