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陈中圆

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电力科学研究院更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 4篇二极管
  • 4篇IGBT
  • 3篇压接
  • 2篇换流
  • 2篇换流器
  • 2篇安全工作
  • 1篇单相
  • 1篇单相半桥逆变...
  • 1篇电路
  • 1篇电路拓扑
  • 1篇电容
  • 1篇电容电压
  • 1篇电压
  • 1篇断路
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩二极管
  • 1篇双极型
  • 1篇通信
  • 1篇通信方法
  • 1篇逆变

机构

  • 6篇中国电力科学...

作者

  • 6篇韩健
  • 6篇吴锐
  • 6篇陈中圆
  • 5篇温家良
  • 4篇贾娜
  • 4篇蔚泉清
  • 4篇王成昊
  • 1篇王志霞
  • 1篇高学敏

年份

  • 3篇2013
  • 3篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联结构的换流单元
本发明提供一种基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联结构的换流单元，包括IGBT模块和电容，所述IGBT模块包括反并联的焊接型IGBT和压接型二极管，所述IGBT模块与所述电容并联。本发明提供的一种基于焊接型IGBT与压...
吴锐温家良韩健陈中圆蔚泉清贾娜
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基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构的换流单元
本发明提供一种换流单元，包括IGBT模块和电容，所述IGBT模块包括基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块；所述基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块包括串联的焊接型IGBT串联及其相应的压接型二...
温家良吴锐韩健陈中圆蔚泉清贾娜
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一种基于IGBT与SiC雪崩二极管反并联的串联电路
本发明提供一种基于IGBT(2)与SiC雪崩二极管(3)反并联的串联电路(1)，所述串联电路(1)包括串联的IGBT(2)及其相应的SiC雪崩二极管(3)，IGBT(2)反并联于其相应的SiC雪崩二极管(3)。本发明提供...
吴锐温家良陈中圆韩健王成昊
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一种IGBT串联阀触发监控系统及其通信方法
本发明属于电力电子及电力系统领域，具体涉及一种IGBT串联阀触发监控系统及其通信方法。该监控系统包括阀基电子设备、IGBT驱动单元；所述阀基电子设备和IGBT驱动单元通过光纤连接；所述IGBT驱动单元与绝缘双极型功率管I...
温家良韩健王志霞蔚泉清陈中圆吴锐贾娜王成昊高学敏
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单相半桥逆变器电容电压不均衡研究
单相半桥逆变器具有主电路结构简单，使用器件少，容易实现的特点，适合用作IGBT串联的试验平台的主电路拓扑。本文对单相半桥型逆变器的电容不均压问题进行了理论分析，提出了几种抑制办法，针对在实验室搭建的IGBT串联的士1.5...
贾娜吴锐陈中圆任悟成韩健蔚泉清王成昊
关键词：单相半桥逆变器电路拓扑
一种基于焊接型IGBT与压接型SiC二极管的反并联电路
本实用新型提供一种基于焊接型IGBT与压接型SiC二极管的反并联电路，包括串联的焊接型IGBT及其相应的压接型SiC二极管，压接型SiC二极管反并联于其相应的焊接型IGBT。本实用新型提供的一种基于焊接型IGBT与压接型...
吴锐温家良陈中圆韩健王成昊
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