马格林
- 作品数：6 被引量：61H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种新的SiC外延材料质量评估方法
- 虽然现在SiC外延层在缺陷密度和尺寸等方面都有较大改进,但生长速率低、缺陷密度高、产量低、成本高以及不能大批量生产等因素依然限制着SiC外延层材料和器件的发展。提高SiC外延材料生长速率,降低其缺陷密度和生产成本,都需依...
- 马格林
- 关键词：碳化硅缺陷密度
- 一种碳化硅外延层质量评估新技术被引量：1
- 2011年
- 由于当前多种技术同时被用于碳化硅(SiC)外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外延材料和器件的发展.用红外镜面反射谱、拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等对4H-SiC外延层质量进行了测试.测试结果的分析和比较表明,红外镜面反射谱不但能提供拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等测试的所有质量参数,而且其解析结果与其他几种技术的解析结果一致.因此,红外镜面反射谱可以作为一种低成本、快捷、无损、可在线的碳化硅外延层质量监测技术.
- 马格林张玉明张义门马仲发
- 关键词：碳化硅外延层
- SiC外延层表面化学态的研究被引量：4
- 2008年
- 用高分辨X射线光电子能谱仪(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪研究了SiC外延层表面的组分结构.XPS宽扫描谱,红外掠反射吸收谱及红外镜面反射谱的解析结果说明SiC外延层表面是由Si—O—Si和Si—CH2—Si聚合体构成的非晶SiCxOy:H.SiC外延层表面的化学态结构为Si(CH2)4,SiO(CH2)3,SiO2(CH3)2,SiO3(CH3),Si—Si,游离H2O,缔合OH,Si—OH,O和O2.根据化学态结构和元素电负性确定了化学态的各原子芯电子束缚能顺序,并与XPS窄扫描谱拟合结果相对比,建立了化学态与其束缚能的对应关系,进而用Si(CH2)4的实际C1s束缚能值进行校正,确定了各化学态的束缚能.结果发现,除了SiCxOy(x=1,2,3,4,x+y=4)的Si2p束缚能彼此不同外,其C1s和O1s彼此也不相同,其中SiO2(CH3)2和SiO3(CH3)的C1s束缚能与CHm和C—O中C1s的相近,对此从化学态结构,元素电负性和邻位效应进行了解释.
- 马格林张玉明张义门马仲发
- 关键词：SIC化学态XPSFTIR
- SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究被引量：1
- 2008年
- 提出了一种新的,用未限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线光电子谱和红外掠反射吸收谱相对照,确定了SiC表面C1s谱的最优拟合参数,获得了与文献中数值相同的C1s束缚能.为SiC及其他材料表面元素窄扫描X射线光电子谱的拟合和化学态结构的鉴定奠定了基础.
- 马格林张玉明张义门马仲发
- 关键词：SICX射线光电子谱
- N型4H-SiC同质外延生长的工艺过程研究
- SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点,特别是SiC的外延生长,更是人们关注的方向.本文详细描述了我们实验室从EPIGRESS AB公司引进的水平热墙CVD设备,生长外延层...
- 闫新强张玉明张义门王悦湖马格林
- 关键词：化学气相淀积SIC材料生长温度
- 文献传递
- 红外和雷达复合隐身材料——掺杂氧化物半导体被引量：52
- 2003年
- 从红外隐身、雷达隐身原理及电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理出发 ,从理论上分析了掺杂氧化物半导体材料同时实现红外和雷达隐身的可能性 ,指出ZAO(掺铝氧化锌 )作为红外和雷达隐身复合隐身材料是很有发展前景的。
- 马格林曹全喜黄云霞
- 关键词：红外隐身雷达隐身隐身材料掺铝氧化锌
