马铁英
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
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- 改性红外探测材料－非晶SiGe薄膜的制备方法
- 改性红外探测材料一非晶SiGe薄膜的制备方法。本发明属于红外热探测材料的制备方法，特别是对非晶SiGe合金薄膜优化、改性的方法。本发明包含以下两个重要步骤，即首先在超高真空状态下采用电子束蒸发镀膜方法制备α－SiGe薄膜...
- 杨宇王光科杨瑞东马铁英刘焕林陈刚
- 文献传递
- 改性红外探测材料－非晶SiGe薄膜的制备方法
- 改性红外探测材料—非晶SiGe薄膜的制备方法。本发明属于红外热探测材料的制备方法，特别是对非晶SiGe合金薄膜优化、改性的方法。本发明包含以下两个重要步骤，即首先在超高真空状态下采用电子束蒸发镀膜方法制备α-SiGe薄膜...
- 杨宇王光科杨瑞东马铁英刘焕林陈刚
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- 电子束蒸发非晶硅薄膜的改性和研究
- 在光探测方面,作为红外热探测的硅基薄膜,具有资源丰富、成本低廉、大面积均匀性好的优点,且它还可同硅微电子集成兼容,已成为当今非致冷红外探测材料研究的热点.该文用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜.通过改变衬底温度,固定镀膜时间...
- 马铁英
- 关键词：非致冷非晶硅薄膜电子束蒸发电阻温度系数红外探测材料
- 文献传递
- 电子束蒸发a-Si∶Co薄膜的离子注入改性研究被引量：4
- 2004年
- 用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜,不同剂量Co离子注入后真空退火改性。X射线衍射法分析了样品的物相变化特征,发现Co离子注入可诱导非晶硅结晶,有一优化注入剂量5×1016ions/cm-2,使晶化Si(111)峰最强。还测量了非晶硅薄膜电阻率,揭示薄膜电阻温度系数随Co离子掺杂浓度和退火温度改变的规律;在退火温度500℃,离子注入量5×1015ions/cm-2条件下,获得TCR系数高达-2.5%的薄膜材料。
- 马铁英刘焕林陈刚杨宇
- 关键词：离子注入电阻温度系数
