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马骥刚

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇KINK效应
  • 1篇电学
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇应力
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性分析
  • 1篇可靠性研究
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应器件
  • 1篇KINK

机构

  • 3篇西安电子科技...
  • 1篇教育部

作者

  • 3篇马骥刚
  • 1篇曹梦逸
  • 1篇廖雪阳
  • 1篇陈伟伟
  • 1篇郭星
  • 1篇贺强
  • 1篇马晓华
  • 1篇李文雯
  • 1篇郝跃
  • 1篇张会龙
  • 1篇焦颖
  • 1篇张凯

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型被引量：2
2012年
初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电流的变化量.最后,我们采用模型仿真结合实验分析的方法,对kink效应进行了一定的物理研究,结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.
马骥刚马晓华张会龙曹梦逸张凯李文雯郭星廖雪阳陈伟伟郝跃
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管KINK效应
关态应力下AlGaN/GaN HEMT的Kink效应研究
采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电学表征手段。我们发现,关态应力(Vds20v&Vgs=20v&Vs=OV)后...
马骥刚焦颖贺强马晓华王冲郝跃
关键词：KINK效应
文献传递
基于Kink效应的AlGaN/GaN HEMT器件可靠性研究
GaN材料作为新型第三代半导体材料，具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优良特点，在高温、高频、大功率应用方面具有非常广阔的前景，也已经取得了相当大的进展。本文主要针对GaN基HEMT器件的Kink效应相关的可...
马骥刚
关键词：场效应器件KINK效应可靠性分析
文献传递
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