高榆岚
- 作品数：7 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国矿业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国矿业大学青年科技基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学环境科学与工程更多>>
- 宽带隙n-型半导体CuIn_5Se_8的热电性能研究
- 2013年
- 利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究。物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13eV,比In2Se3合金的低。电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0μV·K1降低到263.0μV·K1,而电导率则随温度迅速增大。在818K时,其电导率达到最大值2.921031·m1,热导率为0.50W·K1·m1,最高热电优值ZT值达到0.33。
- 周红应鹏展崔教林王晶高榆岚李亚鹏李奕沄
- 关键词：宽带隙半导体热电性能
- 纳米氧化亚铜制备方法的研究进展被引量：6
- 2011年
- 氧化亚铜是一种新型无机材料,具有优异的光电性能,在可见光催化降解等领域有广泛的应用。结合最新研究进展论述了采用不同方法合成各种形貌的纳米Cu_2O及其合成机理,并讨论了目前合成方法存在的问题和以后的发展方向。
- 陈善亮朱耿臣应鹏展顾修全倪自丰高榆岚
- 关键词：纳米氧化亚铜
- 掺杂Cu的AgSbTe四元合金电学性能
- 2011年
- AgSbTe基合金具有良好的热学和电学性能,在发电和制冷领域获得广泛应用。通过放电等离子烧结技术制备（AgSbTe2）0.405（Sb2-xCuxTe3）0.064（x=0,0.025,0.05,0.1,0.2）5种合金,观察其微观结构,并研究316~548 K温度区间内电学性能的变化。结果表明,x=0和x=0.025两种样品形成单相,其他3种样品都形成AgSbTe2和Sb2Te多相。掺杂不同比例的Cu元素后,各样品的功率因子都比掺杂前有不同程度的降低,当x=0.2时,样品的电学性能下降最明显。
- 付红应鹏展颜艳明张晓军高榆岚
- 关键词：微观结构电学性能
- 纳米氧化亚铜电化学法制备及光催化研究进展被引量：5
- 2011年
- 综述了采用电化学法制备纳米氧化亚铜的工艺条件、影响因素、形成机理及纳米氧化亚铜在光催化降解工业废水中有机污染物方面的最新研究进展,并指出电化学制备工艺和催化降解研究存在的不足及以后的研究方向与趋势.
- 陈善亮朱耿臣应鹏展顾修全高榆岚
- 关键词：氧化亚铜电化学法光催化偶氮染料有机污染物
- 共掺杂Cu、Sb后宽带隙Ga2Te5基半导体的热电性能
- ＜正＞Ga2Te5是P型半导体,本征Ga2Te5具有很低的Seebeck系数和热导率。本次工作利用放电等离子烧结技术制备了Cu,Sb共掺杂的Ga2Te5基半导体化合物,掺杂后得出材料的禁带宽度Eg值从本征态的1.77eV...
- 高榆岚应鹏展崔教林陈善亮李奕沄
- 文献传递
- 一种新型三元合金AgIn5Se8的晶体结构与热电性能
- ＜正＞本文利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙In-Ag-Se半导体化合物,并研究其结构和热电性能。XRD分析结果表明,随着Ag含量的变化,化合物中检测出两种物相In5AgSe8和InAgSe2。随着Ag含量的增加,材料的...
- 李奕沄孟庆森崔教林孙巍巍高榆岚
- 文献传递
- 共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响被引量：1
- 2012年
- α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。
- 崔教林张晓军李奕沄高榆岚
- 关键词：热电性能
