黄军平
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 稀土Gd_5Ge_2(Si_(2-x)Al_x)合金系的晶体结构和磁卡效应研究被引量：3
- 2003年
- 用磁控电弧炉在氩气气氛下熔炼了Gd5Ge2(Si2-xAlx)(x=0,0.1,0.2,0.5,1.0)系样品。X射线粉末衍射分析表明,样品基本为单相结构,其晶体对称性不会随Al含量的增加而改变。用振动样品磁强计测量了样品的M T曲线和不同温度下的M H曲线。居里温度随Al含量x的增加略有减小,当x=0.2时Gd5Ge2(Si2-xAlx)有最大-ΔSM值。退火对样品的居里温度和磁卡效应影响不大,退火前后的居里温度和磁卡效应基本保持一致。
- 黄军平罗广圣唐少龙吴小山
- 关键词：磁热效应磁熵变晶体结构居里温度
- 磁热效应合金Gd5(Ge_(1-x)M_x)_4的结构
- 2004年
- 用磁控电弧炉在氩气气氛中熔炼了Gd5(Ge1-xMx)4(M=Mo、Al、Cr和Ga)系列合金。对样品的结构、显微组织和磁热性能进行了研究,研究发现随着M元素含量的增加,晶体结构会发生由5∶4型正交结构→5∶2∶2型单斜结构→5∶4型正交结构的转变,晶态组织出现非共晶→共晶→非共晶的转变,样品的磁热效应会随着M元素的含量增大而增大。
- 罗广圣黄军平徐鹏吴小山
- 关键词：X射线衍射磁热效应晶体结构
- 界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响
- 2004年
- 用磁控溅射方法制备了一系列含NiO反铁磁层的Co/Cu/Co自旋阀结构。电磁输运测量表明,对相同Co/Cu/Co结构的自旋阀,NiO在自旋阀的顶部(TSV)和在自旋阀的底部(BSV)表现了不同的磁电阻值和热稳定特性。X射线镜面反射和横向漫散射测量证明小的界面粗糙度是导致磁电阻增大的主要原因,而Co与NiO层间的耦合减弱将导致MR减小,两者共同的作用决定了含NiO的自旋阀的磁电阻。我们由此设计实验将:BSV自旋阀的磁电阻值提高近1倍,即达到-12％,而对称自旋阀的磁电阻则提高到15％。
- 张爱梅吴小山孙亮蔡宏灵杜军胡安蒋树声谭伟石黄军平罗广圣陈中军陈兴孙民华吴忠华
- 关键词：界面粗糙度
- Gd含量对Gd_5Si_2Ge_2晶体结构和磁性能的影响
- 2004年
- 用非自耗电弧炉熔炼了Gd5+xSi2Ge2系列样品。用X射线粉末衍射(XRD)和Rietveld方法研究了Gd5+xSi2Ge2系列样品的晶体结构。用自制的仪器测量了样品的居里温度,用振动样品磁强计研究了样品的磁卡效应。对样品的晶体结构分析结果表明:Gd的含量x的变化对Gd5Si2Ge2化合物的晶体结构有较大的影响,当x>0时,样品中含有Gd5(Si,Ge)4和Gd5(Si,Ge)3两个相,并且随着x的增加Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd5(Si,Ge)3相会增加;当x<0时,样品会形成Gd5(Si,Ge)4和Gd(Si,Ge)两相,并且随着x的减少Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd(Si,Ge)相会增多。对样品的磁性能分析结果表明:Gd的含量x>0和x<0时都会降低样品的磁卡效应,样品的居里温度会随着x的增加而增加。
- 罗广圣黄军平徐鹏唐少龙蔡宏灵徐金吴小山
- 关键词：磁熵变RIETVELD方法晶体结构磁卡效应
- Gd_5(Ge_(2-x)Si_(2-x)M_(2x))化合物的晶体结构和磁性研究
- 2004年
- 研究了用稳定元素Mn、Mo、Al和V代替非磁性的Si和Ge对Gd5Ge2Si2化合物的居里温度的影响;并且研究了Gd5(Ge2-xSi2-xM2x)(M=Mn、Mo、Al和V)样品退火处理对居里温度的影响.结果表明少量的合金化元素替代会提高Gd5Ge2Si2化合物的居里温度;退火后居里温度随替代元素的含量变化比退火前更敏感.X射线粉末衍射分析表明少量的合金化元素(Mn、Mo、Al和V)替代不会影响母体Gd5Ge2Si2化合物的晶体结构.对样品的晶态显微组织和表面微结构研究发现退火后组织分布比退火前更均匀.
- 罗广圣黄军平赵斌谢素菁
- 关键词：晶体结构磁性居里温度磁致冷材料
- 巨磁热效应合金GdSiGe系的晶体结构及磁热性能研究
- 黄军平
- 关键词：磁热效应磁熵变晶体结构居里温度
