黄士勇
- 作品数：11 被引量：27H指数：4
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- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 对称量子点花样体系电容谱
- 2003年
- 利用从头计算方法,即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan(UHFR)方程,计算对称多量子点花样体系的基态能,进而研究它们的电子电容谱。量子点花样中的每一个量子点,采用球形有限深限制势阱。结果表明,计算方法和理论模型不仅能够很好地给出类单量子点的s-壳层和p-壳层的电容峰,并且给出了对称量子点花样体系电容谱一些新的精细结构。它将成为研究对称量子点花样体系少电子问题的一种有效可行的方法。
- 戴振宏孙金祚张立德隋鹏飞黄士勇卢卯旺
- 关键词：量子力学半导体器件
- WO_3电变色材料的氢化技术研究
- 2001年
- 全固态电变色器件制作工艺复杂 ,氢化 (或锂化 )工艺是制备WO3电变色器件的关键技术。本文主要论述氢化工艺的制备方法、工艺过程及实验结果等。
- 黄士勇曲风钦苗晔孟兆坤辛志荣
- 关键词：电致变色氢化透光率三氧化钨
- 真空和射频溅射对ITO膜性能的影响被引量：7
- 1999年
- 为进一步探求磁控溅射的机理，本文通过用直流和射频两种磁控溅射沉积ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜的方法，由沉积后的ＩＴＯ膜的特性来揭示不同溅射方法的机制。
- 黄士勇曲凤钦苗晔
- 关键词：磁控溅射ITO膜
- 高密度诱导耦合等离子制备P型ZnO半导体薄膜
- 2012年
- 利用一种定制设计的诱导耦合等离子体辅助射频(RF)磁控溅射沉积技术,在玻璃衬底上制备了N掺杂的P型氧化锌(ZnO∶N)薄膜体系,并使用了反应Ar+N2混合气体烧结的ZnO靶材.在不同技术条件下制备了不同表面平整度的薄膜体系,并利用扫描隧道显微技术(SEM)和X射线衍射仪(XRD)来分析样品表面,发现了ZnO薄膜颗粒化结晶沿着(002)晶向纵向柱型结构生长.实验结果表明,P型ZnO薄膜的成功制备归因于生长过程中的高密度诱导耦合等离子体源的高分离性和有效的等离子体—表面相互作用机制.
- 隋鹏飞黄士勇戴振宏
- 关键词：化学汽相沉积
- 基片和溅射参数对CuInSe_2量子点的影响
- 2004年
- 用 Cu、In、Se三元扇形复合靶 ,采用射频磁控反应溅射技术 ,在低温 Indium Tin Oxide( ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形 Cu In Se2 ( CIS)量子点。制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节。该制备方法具有成本低、操作简单、易于大型化等优点。平均量子点的大小可控制在 40到 80 nm之间 ,可通过改变溅射参数、ITO膜的晶相结构与表面形貌等因素来调节。
- 黄士勇曲风钦戴振宏苗晔钟玉荣王仲训
- 关键词：量子点半导体
- 用MonteCarlo法模拟大型磁控溅射器的膜厚分布被引量：7
- 1999年
- 在大型薄膜生产设备中，膜厚的横向均匀性是一项重要指标。本文提出用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ 方法模拟大型磁控溅射器膜厚横向分布的计算方法，计算了靶的几何结构及各种溅射参数对膜厚横向分布的影响，并把计算结果与实际测量进行了比较。
- 黄士勇曲风钦苗晔董维义
- 关键词：MONTE-CARLO法
- 全固态电致变色器件工艺技术研究被引量：5
- 2001年
- 提出一种新型结构与材料的全固态电致变色器件 ,及其氢化技术和制作工艺。在实验室中研制出 2cm× 2cm可重复转换、性能优良的电致变色器件 ,为大面积电致变色器件连续自动生产线的研制作了必要的技术准备。
- 黄士勇曲风钦苗晔孟兆坤
- 关键词：氢化透射比工艺技术
- 无马达驱动的旋转圆柱形磁控溅射器被引量：1
- 2001年
- 在大型薄膜连续生产线中 ,磁控溅射器的溅射速率、使用周期是影响生产效率与成本的重要因素。本文提出一种新型的无马达驱动的具有高溅射速率、高靶材利用率、长的靶使用周期、安装与使用简单的磁控溅射器。可广泛应用于各类大。
- 黄士勇曲凤钦苗晔钟玉荣孟兆坤傅胜奇
- 关键词：磁控溅射水冷系统
- 高靶材利用率的新型磁控溅射器被引量：7
- 2000年
- 在现代大型薄膜连续生产线中 ,其生产效率主要受以下两因数的影响 :溅射器的沉积速率和靶材的使用周期。本实验研制了一种圆筒形靶材绕溅射器中心轴线匀速旋转 ,并且与溅射器之间用螺丝固定连接的新型磁控溅射器。论述了新型溅射器的结构与组成 ,并给出实验结果与结论。其具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。同时在反应溅射时避免在靶面上的形成介质层 ,提高了溅射过程的稳定性。
- 黄士勇曲凤钦苗晔孟兆坤
- 大型旋转圆柱形磁控溅射器被引量：2
- 1998年
- 提出并研制成功了一种新型旋转圆柱形磁控溅射器。由于该溅射器采用静止的电磁场及匀速旋转圆简形靶材的新型结构，因此它具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。可广泛适用于建筑物的幕墙玻璃等大型薄膜生产设备中。
- 黄士勇王德苗曲风钦苗晔
- 关键词：靶材利用率
