黄春红
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：天津工业大学电子信息与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备被引量：1
- 2010年
- 采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+叉指结构形成U型器件,外部的两个P+区为保护环,在相邻的内部两个P+区之间使用多晶硅作为栅极来调控LED的正偏发光。使用奥林巴斯IC显示镜测得了硅LED实际器件的显微图形,并对器件进行了电学的正反向I-V特性测量。器件在室温下正向偏置,在100～140mA电流下对器件进行了光功率的检测,发光峰值在1089nm处。结果表明,器件发光功率随着栅控电压偏置电流的增加而增加。
- 杨广华毛陆虹黄春红王伟郭维廉
- 关键词：硅发光器件
- 基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件
- 2008年
- 基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4～12V)内稳定工作。总结了工艺对器件电学特性的影响,并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析。该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值。
- 黄春红牛萍娟杨广华王伟
- 关键词：互补金属氧化物半导体工艺光电集成电路光互连
- 与标准CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究
- 随着光纤通信技术和微电子技术的飞速发展，光电集成的研究成为当今世界前沿研究的热点。而其中关键的一环，就是要研制出一种能满足光互联技术要求的实用光源。硅是微电子技术的主要材料，但由于其为一种间接带隙的半导体材料，在发光方面...
- 黄春红
- 关键词：标准CMOS工艺光纤通信
- 文献传递
- 条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析被引量：4
- 2010年
- 采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型SiLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成Sipn结LED。观察了SiLED发光显微图形及实际器件的版图,并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功率及光谱特性的测量。SiLED的正向偏置时开启电压为0.9V,反向偏置时在15V左右可观察到发光。器件在室温下反向偏置时,10V,100mA电流下所得输出光功率为12.6nW,发光峰值在758nm处。
- 杨广华毛陆虹黄春红王伟郭维廉
- 关键词：硅发光器件标准CMOS工艺
- 标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析
- 2009年
- 描述了用于制备SiLED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素。介绍了采用新加坡Charter公司的0.35μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型SiLED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的是尽可能大的提高侧面发光效率。在对器件进行了电学和光学特性的测量后,得到了SiLED发光及实际版图的显微图形以及器件的正反向I-V特性和发光光谱。器件在室温下反向偏置,50mA电流下所得辐射亮度值为14.43nW,发光峰值在772nm处。
- 杨广华毛陆虹王伟黄春红郭维廉
- 关键词：硅发光二极管
