何波涌
- 作品数：8 被引量：18H指数：3
- 供职机构：上海交通大学微电子学院更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会创新基金上海市教育发展基金上海市浦江人才计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术化学工程更多>>
- 钠冷快堆失流事故工况下自然对流衰变热排除的数值和实验研究
- 何波涌
- 基于DCIV法对pMOSFET热载流子损伤的研究被引量：1
- 2009年
- 利用新型的直流电流电压(DCIV)法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为,并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释。实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下,热载流子引发表面态密度随时间变化的两个阶段:第一阶段,电负性的氧化层陷阱电荷起主导作用,使线性区漏端电流随时间增加;第二阶段,表面态逐渐起主导作用,导致线性电流随时间逐渐减小。
- 冯志刚何波涌
- 关键词：PMOSFET热载流子退化表面态
- 基于钴硅化物电迁移现象的电熔丝器件的优化设计与研究被引量：1
- 2009年
- 设计了一种完全兼容现有0.18μm标准CMOS工艺的,利用电迁移现象的,价格低廉的电熔丝器件结构。结果表明,在该结构下,通过优化参数,所获得的eFUSE器件结构,熔断后电阻高达107欧姆数量级,熔断率高达99%,解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻太小,局部过热可能产生爆裂的问题。
- 林昆何波涌
- 关键词：电迁移CMOS集成电路冗余技术硅化物
- 飞秒激光烧蚀硅表面产生微纳结构过程中激光脉冲数目的影响被引量：8
- 2011年
- 为了研究飞秒激光脉冲数目与硅表面形貌之间的关系,在相同的SF6气体氛围下,改变照射硅表面的飞秒激光脉冲数,发现在飞秒激光照射下由硅表面形成的微型锥状尖峰的高度与飞秒激光脉冲数呈现一种非线性关系。通过对该关系的研究有利于找出在制造具有较高吸收效率的高微型锥状尖峰的"黑硅"的实验条件,有利于基于"黑硅"材料的光电器件转化效率的提高。
- 阮召崧彭滟朱亦鸣何波涌
- 关键词：光学材料飞秒激光脉冲
- 利用时域太赫兹波谱法的超高电场下砷化镓内能带耦合现象研究被引量：3
- 2009年
- 利用时域太赫兹波谱系统,研究了超高电场下砷化镓中的非平衡载流子的动态运动过程。研究发现,当电场小于50 kV/cm时,电子运动所辐射出的太赫兹波信号的最初峰值△E_(THz)(对应电子在Γ谷中的加速)随着电场的增加不断增大;当电场大于50 kV/cm时,△E_(THz)随着电场的增大逐渐衰减并最终达到饱和。这一实验结果表明,当电场强度大于50 kV/cm时,由砷化镓中的电子的有效加速质量随着电场的增加而显著地增加(在300kV/cm的情况下电子的有效加速质量约为低电场时的30倍)。导致这一结果的原因是在超高电场的情况下砷化镓中的能带会发生强烈的混合。
- 朱亦鸣张大伟何波涌庄松林
- 关键词：非平衡载流子
- 超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究被引量：1
- 2009年
- 利用自由空间太赫兹电光取样方法,测量了在高电场下,GaAs中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹电磁波,发现从样品中辐射出的和电子加速度成正比的太赫兹电磁波电场强度ETHz(t),表现出双极特性.通过分析GaAs中辐射出的太赫兹电磁波的傅里叶变换谱,首次实验上得到在阶跃电场下的GaAs的电子太赫兹功耗谱.研究发现,当电场小于50kV/cm时,由电子谷间散射引起的负功耗(即增益)的截止频率νc,随着电场的增大而增大;当电场大于50kV/cm时,负功耗的截止频率νc开始在750GHz(10K)附近饱和.
- 朱亦鸣贾晓轩陈麟张大伟黄元申何波涌庄松林Kaz Hirakawa
- 关键词：太赫兹非平衡载流子
- 制冷快堆失流事故工况下自然对流衰变热排除的数值和实验研究
- 何波涌
- 砷化镓内电子谷间散射引起的增益被引量：6
- 2010年
- 运用时域太赫兹波谱法,低温(10 K)高电场下本征砷化镓中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹波被准确地测量出来。从样品中辐射出的和电子加速度/减速度成正比的太赫兹电磁波,表现出双极特性。通过分析砷化镓中辐射出的太赫兹波的傅里叶变换谱,在实验上得到阶跃电场下的砷化镓内因电子谷间散射而引起的增益极限频率,可以达到约750 GHz(10 K)。同时通过测量极限频率和温度的关系,发现极限频率是电子经由纵光学声子从L谷到Γ谷的散射能量弛豫过程所需要的时间决定的。通过理论计算电子在Γ谷的弹道加速、电子谷间散射和电子经由纵光学声子连续散射在Γ谷的弛豫等过程的时间得出的增益极限频率与实验值吻合得较好。
- 倪争技陈麟王淑玲张大伟何波涌朱亦鸣
- 关键词：光谱学砷化镓增益非平衡载流子
