刘伟
- 作品数：25 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院院长基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- 近红外单光子探测被引量：5
- 2010年
- 随着以单个光子作为信息载体的量子通信和量子加密技术的兴起,近红外单光子探测技术受到了广泛关注.近红外单光子探测系统具有极高的灵敏度,所以它还可以胜任探测其它近红外波段微弱光信号的任务.半导体雪崩光电二极管是当前最成熟的近红外单光子探测系统的核心元器件;文章阐明了雪崩光电二极管的暗电流和击穿电压对单光子探测的影响,同时还讨论了工作温度、直流偏置、门信号性质和计数阈值等系统参数之间相互制约的关系.
- 刘伟杨富华
- 关键词：单光子雪崩二极管量子通信
- 横向点间耦合对双量子点Aharonov-Bohm结构输运性质的影响
- 文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡...
- 江兆潭刘伟杨富华游建强李树深郑厚植
- 关键词：量子点半导体物理
- 文献传递
- 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法，其特点在于：1.不同于其他光－电集成器件的横向耦合结构，本器件的结构，是将化合物半导体光探测器和金属－半导体场效应晶体管纵向集成生长在同一衬底材料上。2.在器件制备...
- 曾宇昕杨富华徐萍刘伟
- 文献传递
- 赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究
- 1995年
- 本文利用变温光反射谱和室温光伏谱研究了赝高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的行为，发现二维电子气的屏蔽作用对低指数子带较为显著，而对较高子带则弱得多，同时带填充效应在不同温度下对临界点跃迁能量及跃迁强度也有不同影响．
- 刘伟江德生张耀辉金珊王若桢
- 关键词：电子迁移率晶体管HEMT
- 3～5微米双势垒量子阱红外探测器结构在不同偏压下的光伏响应被引量：5
- 1996年
- 首次采用不同偏压下的光伏谱方法无损测量到双势垒量子阱红外探测器结构的量子阱带间跃迁光伏谱响应．分析结果支持探测器有源区存在内建电场的说法：量子阱区存在由生长不对称引起的指向衬底的内建电场，同时势垒区存在相反的内建电场．
- 崔丽秋江德生张耀辉刘伟吴文刚王若帧
- 关键词：红外探测器
- 超晶格在强电场下的量子效应和非线性输运研究
- 江德生张耀辉宋春英孙宝权崔丽秋刘伟武建青徐土杰罗昌平吴文
- 对半导体超晶格在强电场下的量子效应和非线性输运进行了系统和深入的研究，结合流体静压力、变温、光偏置、磁场等条件，在实验和理论上研究了多种超晶格中的Ｗａｎｎｉｅｒ局域化效应，双稳态电光调制，在直流电场作用下稳定高场畴的形成...
- 关键词：
- 关键词：量子化超晶格半导体
- 单光子探测装置的结构
- 一种单光子探测装置的结构，使用液氮制冷带尾纤的雪崩二极管，其特征在于：主要包括：一中空的隔热塑料塞；一中空拉杆，该中空拉杆的一端与中空的隔热塑料塞固接；一雪崩二极管，该雪崩二极管固接在中空的隔热塑料塞的另一端；一金属套管...
- 刘伟杨富华曾宇昕郑厚植
- 文献传递
- 内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性研究
- 研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器...
- 曾宇昕刘伟杨富华徐萍谭平恒章昊边历峰郑厚植曾一平
- 关键词：INAS量子点调制掺杂场效应晶体管光电特性
- 文献传递
- InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应
- 1993年
- 本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予详细讨论。实验结果表明,利用In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层超晶格的Wannier-Stark效应可以制作0.98μm波长范围的电光调制器和自电光双稳器件。
- 刘伟张耀辉江德生王若桢周钧铭梅笑冰
- 关键词：化合物半导体应变层超晶格
- Ⅰ类－Ⅱ类混合GaAs／AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽
- 1995年
- 我们在Ⅰ类－Ⅱ类混合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ非对称量子阱结构的样品上，在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累．利用光致发光方法详细地研究了自由载流子散射对激子展宽的贡献，发现低温下随着载流子密度的增加，载流子散射导致的激子展宽随之增加，在一定激发光强下光荧光谱上出现７７Ｋ激子线宽大于室温激子线宽的现象．我们根据载流子对激子态的散射理论进行了计算，发现实验结果和理论预言符合得很好。
- 刘伟罗克俭江德生张耀辉杨小平
- 关键词：砷化镓砷化铝激子
