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刘志强

作品数：158 被引量：153H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广州市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 121篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 50篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 3篇电气工程
  • 3篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇核科学技术

主题

  • 64篇发光
  • 56篇二极管
  • 51篇发光二极管
  • 50篇氮化镓
  • 26篇电极
  • 24篇衬底
  • 19篇多量子阱
  • 18篇金属
  • 15篇蓝宝
  • 14篇外延片
  • 14篇刻蚀
  • 14篇蓝宝石
  • 13篇倒装
  • 13篇纳米
  • 13篇GAN
  • 12篇氮化
  • 12篇光刻
  • 11篇氮化物
  • 11篇化物
  • 9篇电流扩展

机构

  • 158篇中国科学院
  • 6篇中国科学院大...
  • 2篇鹤壁市大华实...
  • 1篇北京大学
  • 1篇河北科技师范...
  • 1篇湖南大学
  • 1篇扬州中科半导...

作者

  • 158篇刘志强
  • 141篇伊晓燕
  • 92篇李晋闽
  • 82篇王军喜
  • 67篇王国宏
  • 31篇王良臣
  • 29篇梁萌
  • 25篇郭恩卿
  • 24篇詹腾
  • 20篇汪炼成
  • 16篇郭金霞
  • 13篇李璟
  • 13篇陈宇
  • 12篇王立彬
  • 12篇王莉
  • 12篇孔庆峰
  • 11篇马龙
  • 11篇杨华
  • 9篇孙波
  • 8篇魏同波

传媒

  • 5篇Journa...
  • 4篇半导体技术
  • 4篇第十四届全国...
  • 3篇光电子．激光
  • 3篇半导体光电
  • 2篇照明工程学报
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 1篇2025
  • 4篇2024
  • 4篇2023
  • 10篇2022
  • 7篇2021
  • 6篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 18篇2017
  • 4篇2016
  • 14篇2015
  • 18篇2014
  • 12篇2013
  • 14篇2012
  • 11篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 5篇2008
  • 10篇2007
  • 6篇2006
共 158 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法
一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：一外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；在P型GaN层上形成一透明电极层；在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电...
程滟詹腾郭金霞李璟刘志强伊晓燕王国宏李晋闽
文献传递
低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术
李晋闽王国宏王军喜伊晓燕刘志强戚运东
该项目属于电子与通信科学技术学科。基于LED的半导体照明被誉为开启“绿色照明”的里程碑，世界各国纷纷制订发展计划，以抢占半导体照明的制高点。中国的《“十二五”国家战略性新兴产业发展规划(国发[2012]28号)》明确将半...
关键词：
关键词：芯片
抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法
一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO<Sub>2</Sub>层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍...
刘娜孙雪娇孔庆峰梁萌王莉魏同波刘志强伊晓燕王军喜李晋闽
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析
热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,本文通过TEM、PL、Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED...
刘志强王良臣樊晶美郭恩卿王国宏李晋闽
关键词：热压键合半导体二极管反向漏电位错密度
文献传递
GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线
本发明公开了一种GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线，其中，该制备方法包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有金属薄膜层的复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN...
刘志强闫岩张硕伊晓燕王军喜李晋闽
AlGaInP/Si的键合研究
键合技术是大失配异质材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.本文以金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面没...
郭德博梁萌范曼宁刘志强王良臣王国宏
关键词：ALGAINPI-V特性键合技术
文献传递
利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法
一种利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法，包括：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓基外延层；在氮化镓基外延层上沉积金属层；将外延结构和金属层转移到衬底上，外延结构、金属层和衬底组成外延片；用机...
汪炼成马骏刘志强伊晓燕王国宏
文献传递
基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法，该芯片包括：绝缘衬底；石墨烯层，生长于绝缘衬底上；纳米柱LED，间隔生长在所述石墨烯层上，所述纳米柱LED自衬底至上包括：n‑GaN层、多量子阱发光层和p‑Ga...
刘志强任芳张硕尹越王蕴玉梁萌伊晓燕袁国栋王军喜李晋闽
文献传递
LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及制备方法
一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极...
伊晓燕张硕刘志强梁萌冯涛任芳王蕴玉王军喜李晋闽
文献传递
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