刘湾
- 作品数：26 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 相关领域：核科学技术理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 一种高产额中子发生器高电位端散热装置
- 本发明公开了一种高产额中子发生器高电位端散热装置。包括两套冷却循环系统，一套是位于高电位端的液态金属循环冷却系统，一套是跨接高低电位端的绝缘油循环冷却系统。两套系统通过液态金属与绝缘油热交换器进行热量交换，液态金属循环冷...
- 何小海李彦唐君娄本超张钦龙刘百力刘湾黄瑾李艳
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- ns-200中子发生器纳秒脉冲聚束电源系统
- 纳秒脉冲聚束电源系统是加速器产生纳秒脉冲束的重要装置，本文介绍了ns-200中子发生器纳秒脉冲聚束电源系统的组成、原理。
- 娄本超陈俊光周长庚黄瑾刘湾
- 关键词：纳秒脉冲电源系统
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- 一种可远程显示的个人辐射剂量率仪
- 本文介绍了一种可远程显示的个人活化辐射剂量率仪工作原理、结构和特性。在中子发生器实验大厅,用该仪器初步测量了中子活化产生的辐射剂量率。当直流中子产额为1×109s-1时,停机10min后测得中子活化产生的辐射剂量率为4....
- 周长庚刘湾李艳
- 关键词：远程测量中子发生器
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- 小型DD中子发生器及其应用
- 小型DD中子发生器在中子活化分析、探测器标定、辐照等多个方面有着广泛的应用前景。本文主要介绍核物理与化学研究所研制的一系列小1型DD中子发生器的现状及其在工业物料分析、探测器标定等方面的应用,并对未来发展进行了展望。
- 柯建林刘百力娄本超胡永宏伍春雷言杰郑普朱通华安力刘湾刘猛张钦龙
- 氘离子轰击钼靶的二次电子发射系数测量被引量：2
- 2012年
- 设计了一套二次电子测量装置,采用间接测量法,利用中子发生器产生的氘离子束,对氘离子束轰击下钼靶的二次电子发射系数进行了实验研究,获得了钼的二次电子发射系数随不同入射氘离子能量的变化趋势,氘离子束能量为170 keV时的二次电子发射系数最大,约为2.33。
- 刘猛柯建林黄刚梁建华刘湾娄本超卢彪
- 关键词：钼靶
- 小型高产额氘氘中子发生器
- 本发明公开了一种小型高产额氘氘中子发生器。采用模块化分布式高频离子源，在端部为球面的陶瓷圆柱体外表面上均匀分布，输出分布均匀、流强大于1A、单原子比例超过80％氘离子束，在端部为球面的柱形的加速电场中加速，轰击位于高电位...
- 何小海唐君李彦娄本超张钦龙刘百力刘湾黄瑾李艳
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- ns-200中子发生器束流脉冲化技术研究及束流传输模拟计算被引量：2
- 2006年
- 在ns-200中子发生器上开展了束流脉冲化技术研究工作,采用正弦波速调管聚束方法设计了束流脉冲化系统,研制了高频电源系统、脉冲测量系统和远程自动控制系统。运用LEADS软件,进行了束流传输的模拟计算,并显示了束流传输包络曲线。整机安装调试获得了半高宽小于3.5ns、峰值电流大于1mA的聚束脉冲,束流稳定,各项指标达到技术要求。目前,已长期投入脉冲运行,完成了多个物理实验。
- 祖秀兰娄本超杨海素周长庚黄瑾刘湾胡永宏
- 关键词：束流脉冲化
- 一台3×108 n/s自成靶D-D中子发生器
- 中子发生器在中子学参数测量、材料分析、爆炸物检测、国土安全、中子照相等方面有着广泛的应用。本文基于全永磁微波离子源和钛自成靶技术研制了1台小型D-D中子发生器,其设计中子产额为3×10n/s。该D-D中子发生器采用全永磁...
- 柯建林刘百力刘玉国胡永宏刘猛唐君邱瑞李彦刘湾伍春雷
- ns-200中子发生器离子束传输过程研究
- 深入研究ns-200中子发生器可为技术改造，增大束流，增强运行能力，提供必要的技术支撑.同时可提高中子发生器研制设计能力，储备技术资源.ns-200中子发生器主要包括双圆筒透镜、三圆筒单透镜、圆筒加速管、分析磁铁等.由它...
- 祖秀兰李艳张钦龙刘湾刘百力娄本超
- 关键词：中子发生器模拟计算
- 一种高产额中子发生器氦处理装置
- 本实用新型公开了一种高产额中子发生器氦处理装置。在中子发生器主真空室外部，通过真空管道连接到一个大容积的氦处理真空容器。在氦处理容器内，利用对氘氚气体吸附量大，吸附速度快，而对非氢杂质气体吸附速度慢，对氦气没有吸附作用的...
- 何小海李彦薛小明娄本超唐君张钦龙刘百力刘湾黄瑾李艳
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