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卫建林

作品数：13 被引量：9H指数：3
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 4篇直接隧穿
  • 4篇隧穿
  • 3篇氧化层
  • 3篇可靠性
  • 3篇半导体
  • 3篇薄栅
  • 3篇FN振荡电流
  • 3篇超薄
  • 3篇超薄栅
  • 2篇软件系统
  • 2篇算符
  • 2篇隧穿电流
  • 2篇分析方法
  • 2篇分析软件
  • 2篇分析软件系统
  • 2篇半导体器件
  • 2篇MOS结构
  • 2篇MOS器件
  • 2篇测试仪器
  • 1篇氧化层厚度

机构

  • 13篇北京大学

作者

  • 13篇卫建林
  • 11篇许铭真
  • 11篇谭长华
  • 8篇毛凌锋
  • 3篇刘晓卫
  • 2篇穆甫臣
  • 2篇何燕东
  • 2篇解冰
  • 1篇张贺秋
  • 1篇王子欧
  • 1篇陈之昀

传媒

  • 6篇Journa...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2003
  • 6篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体参数分析系统
本发明涉及一种半导体器件参数分析系统。包括半导体参数测试仪器，计算机，测试台，计算机与测试仪器接口卡，半导体参数分析软件系统。半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件I-V输出特性；半导体参数分析软件系统对测得的I-V特性...
许铭真谭长华何燕东卫建林解冰刘晓卫
文献传递
比值差分算符及其应用研究
该文对比例差分算符及其在半导体器件参数提取及可靠性研究中的应用进行了讨论.首先,在比例差分理论的基础上提出了比例差分算符的概念,并对比例差分算符的基本性质进行了研究,指出比例差分算符为一线性算符这一基本的性质.进而,作者...
卫建林
关键词：算符可靠性
薄栅介质层中的直接隧穿和FN隧穿电流
精确求解隧穿电流的结果表明了经典的Fowler-Nordheim公式只是在高场下近似适用,而直接隧穿公式在低场下近似适用.对于超薄氧化层的MOS器件的应力实验,直接隧穿电流就必须被考虑.
卫建林毛凌锋许铭真谭长华
关键词：半导体材料隧穿电流氧化层厚度
文献传递
利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度被引量：3
2000年
给出了一种利用 FN振荡电流的极值测量超薄栅 MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之间的关系 .这种方法的最大优点是精确和简便 。
毛凌锋谭长华许铭真卫建林
关键词：MOS结构FN振荡电流超薄栅
SILC Mechanism in Degraded Gate Oxide of Different Thickness
2001年
It is shown that traps are generated asymmetrically in the thin gate oxides with different thickness during high field degradation,as well as the multi-mechanism plays role in the Stress Induced Leakage Current (SILC).These factors perform differently in gate oxide of different thickness.A comparison is drew between several analyzing models.Trap assisted tunneling is preferred for thinner samples,while Pool-Frankel like mechanism or thermal emission mechanism should apply to the thick ones.
王子欧卫建林毛凌锋许铭真谭长华
关键词：SILC
比例差分算符及其应用研究
卫建林
关键词：算符可靠性
用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流被引量：4
2000年
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性 .干涉方法揭示电子在隧穿过程中体现了波的本性 ,这种方法的一个重要特征是它对不同形状的势垒和势阱可能均适用 .还分析了有关FN振荡电流的实验现象 。
毛凌锋谭长华许铭真卫建林
超薄栅MOS结构恒压应力下的直接隧穿弛豫谱被引量：5
2001年
随着器件尺寸的迅速减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .根据比例差值算符理论和弛豫谱技术 ,针对直接隧穿应力下超薄栅 MOS结构提出了一种新的弛豫谱——恒压应力下的直接隧穿弛豫谱 (DTRS) .该弛豫谱保持了原有弛豫谱技术直接、快速和方便的优点 ,能够分离和表征超薄栅 MOS结构不同氧化层陷阱 ,提取氧化层陷阱的产生 /俘获截面、陷阱密度等陷阱参数 .直接隧穿弛豫谱主要用于研究直接隧穿注入的情况下超薄栅 MOS结构中陷阱的产生和复合 ,为超薄栅 MOS结构的可靠性研究提供了一强有力工具 .
卫建林毛凌锋许铭真谭长华
关键词：直接隧穿超薄栅氧化层可靠性MOS器件
一种新的MOS器件亚阈区表面势分析方法被引量：1
1997年
本文根据MOS器件亚阈区转移特性国数强收敛的特点，提出了一种直接利用MOS器件转移特性确定亚阈区表面势的新方法．并讨论了界面馅饼的影响．研究结果表明，对于长沟器件，该方法的系统误差小于1．3％．与C－V法的对照实验表明，两者的结果偏差小于5％．
陈之昀刘晓卫卫建林谭长华许铭真
关键词：MOS器件
SiO2/Si界面粗糙度对FN振荡电流的影响
从理论方面研究粗糙界面对FN隧穿电流的振荡效应的影响.数值模拟的结果表明:极值漂移随粗糙度的增加线性而增大,界面粗糙度对FN振荡的振幅影响较小.
毛凌锋卫建林谭长华许铭真
关键词：氧化层界面粗糙度FN振荡电流
文献传递
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