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吕志辉

作品数：3 被引量：7H指数：1
供职机构：国防科学技术大学理学院更多>>
发文基金：国防科技大学预研基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇原子力显微镜
  • 2篇真空蒸发沉积
  • 1篇真空镀膜

机构

  • 3篇国防科学技术...

作者

  • 3篇何焰兰
  • 3篇孙全
  • 3篇吕志辉
  • 1篇黄水花

传媒

  • 1篇国防科技大学...
  • 1篇应用光学
  • 1篇2003年十...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
真空沉积法制备InSb纳米颗粒被引量：6
2005年
采用真空沉积的方法在 Si O2 基片上制备出了纳米 In Sb颗粒薄膜。利用原子力显微镜对 4片样品表面进行分析 ,从其表面形貌图和三维图中可以观察到有粒径均匀的纳米 In Sb颗粒形成并且均匀地分布在 Si O2 基片表面。实验表明 ,通过改变镀膜时间可以得到具有不同颗粒尺寸的 In Sb纳米颗粒 。
孙全何焰兰吕志辉黄水花
关键词：真空蒸发沉积原子力显微镜
制备InSb纳米颗粒
本文用真空镀膜的方法制备了镶嵌在SiO2基片上的纳米InSb颗粒.用原子力显微镜扫描样品表面显示,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2基片表面.分析扫描图可以得出:通过改变镀膜时间,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米...
孙全吕志辉何焰兰
关键词：真空镀膜原子力显微镜
文献传递
InSb纳米颗粒的制备与原子力显微镜被引量：1
2004年
为进一步研究半导体纳米材料的物理特性,用真空沉积的方法在SiO2基片上制备了纳米InSb颗粒膜。用原子力显微镜扫描样品表面的分析显示,纳米InSb颗粒均匀地分布在SiO2基片表面。实验结果表明通过改变镀膜时间,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒。
何焰兰孙全吕志辉
关键词：真空蒸发沉积原子力显微镜
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