您的位置： 专家智库 > >

唐威

作品数：23 被引量：48H指数：4
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文基金：西安应用材料创新基金中国博士后科学基金交通部西部交通建设科技项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文期刊文章

领域

  • 21篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电路
  • 3篇信号
  • 3篇信号处理
  • 3篇信号处理器
  • 3篇数字信号
  • 3篇数字信号处理
  • 3篇数字信号处理...
  • 3篇寄存器
  • 3篇SOI
  • 3篇存储器
  • 2篇带隙基准
  • 2篇单粒子
  • 2篇亚微米
  • 2篇深亚微米
  • 2篇微米
  • 2篇芯片
  • 2篇抗辐射
  • 2篇仿真
  • 2篇浮点
  • 2篇DSP芯片

机构

  • 23篇西安微电子技...
  • 1篇长安大学

作者

  • 23篇唐威
  • 10篇吴龙胜
  • 9篇刘佑宝
  • 4篇刘军华
  • 4篇段来仓
  • 4篇车德亮
  • 3篇刘文平
  • 2篇黄士坦
  • 2篇杨立斌
  • 2篇苏海伟
  • 2篇赵德益
  • 2篇岳红菊
  • 2篇卢红利
  • 1篇何杰
  • 1篇沙爱民
  • 1篇陈超
  • 1篇刘存生
  • 1篇李栋
  • 1篇魏海龙
  • 1篇孙朝云

传媒

  • 16篇微电子学与计...
  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇微电子学
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2003
  • 1篇2002
共 23 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析被引量：3
2018年
针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明,该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫,而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力.
李海松蒋轶虎杨博岳红菊唐威
关键词：CMOS/SOI单粒子效应
一种宽频可编程频率合成器的设计实现
2012年
设计了一种宽频率工作范围、可编程的频率合成器.引入自偏置的DLL结构及启动电路扩展系统频率范围,消除误锁定,在保证DLL系统稳定性及不改变系统锁定状态的基础上,实现倍频器倍频因子的随意转换.同时使用两位寄存器配置初始电压,保证系统的快速锁定.该频率合成器用0.13μm 1.8VCMOS工艺实现,工作频率范围为14～700MHz,可供选倍频数为1,2,4,8.在输入时钟为50MHz、倍频数为8、输出时钟频率为400MHz的工作频率下,系统功耗为28.44mW,周期抖动约为9.8ps.
李娜刘文平吴龙胜唐威
关键词：延迟锁相环频率综合器
空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现
2010年
为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI(Silicon on Insulator)集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于3.3V-0.35μm-PD(Partly)SOI CMOS(ComplementaryMetal-Semiconductor)工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库。标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证。实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300krad(Si)。
唐威刘佑宝吴龙胜赵德益卢红利
关键词：抗辐射加固绝缘体上硅
CMOS标准单元后仿真及其时序信息的建立被引量：2
2009年
时序信息是标准单元特征化参数的重要组成部分.针对全定制标准单元的版图,在进行LVS验证之后,采用寄生参数提取工具对其进行晶体管级的寄生参数提取,得到单元内部的详细寄生电容和电阻值.提出了一种建立标准单元时序信息的方法,并以一个具体标准单元为例对其进行了版图后仿真,结果表明该法行之有效.
晁长征吴龙胜刘佑宝唐威赵德益苏强
关键词：寄生参数提取
DSP芯片外部存储器接口设计一例被引量：7
2003年
文章介绍了一个32位通用DSP芯片中外部存储器接口的设计方案。该方案的突出特点是:接口位宽可根据片外存储器的位宽灵活地调整为8/16/32位,并可同时适应内部数据类型8/16/32位的变换。
刘军华刘文平唐威车德亮段来仓
关键词：DSP芯片外部存储器接口数字信号处理器
DSP处理器循环寻址和位翻转寻址的设计被引量：3
2003年
文章介绍了DSP(digitalsignalprocessing)处理器中面向滤波、FFT、卷积、相关等算法的循环寻址和位翻转寻址方式的设计。先讨论了循环寻址和位翻转寻址的设计思想和硬件实现算法,再根据算法设计了相应的电路,并且用Cadence工具Verilog-XL进行了逻辑仿真。
段来仓黄士坦刘军华唐威车德亮
关键词：循环寻址数字信号处理器寄存器DSP
一种电流型PWM控制芯片的设计被引量：6
2007年
设计并实现了一种高性能的功能齐全的电流型PWM控制芯片。电路采用可调整的带隙基准源和电流型反馈模式,具有基准精度高、温漂低、系统动态响应快等优点。电路的输出级驱动电流可达1A,开关频率可达500kHz,具有过压、过流保护和欠压锁定的功能。
师娅唐威
关键词：PWM控制器带隙基准电流型
一种80位扩展双精度浮点三角函数运算单元的设计被引量：2
2014年
三角函数求值这一运算计算过程复杂,硬件较难实现.针对这一问题,通过改进CORDIC算法,实现了兼容SPARC处理器和INTEL处理器浮点标准的80位高精度浮点三角函数的计算.在算法设计中,将函数的计算范围扩展至-π^+π,并且实现了迭代次数的可配置.最后验证了算法的正确性与完整性,分析了运算过程中迭代次数与精度的关系.结果表明,运算的精度提高到10-14.
张佳唐威盛廷义赵文琦艾刁
关键词：CORDIC算法三角函数浮点
保护环对130nm体硅PMOS抗单粒子瞬态特性的影响被引量：2
2012年
基于TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真软件,通过对带有不同宽度保护环的130nm体硅PMOS器件进行单粒子辐照仿真,研究了保护环结构对深亚微米器件因单粒子辐照所产生的寄生双极效应.仿真结果表明,保护环结构能够大幅缩短器件SET(Single Event Transient)电流的脉冲宽度,有效抑制寄生双极电荷收集,这种抑制作用随着保护环宽度增加而增强,最终趋于稳定.通过对加固器件的面积和抗辐射性能的折衷考虑,改进了保护环结构,并以宽度为0.38μm的保护环为例,证明了改进后的结构能够在保证器件抗单粒子性能及电学特性,同时节省29.4%的面积.
曹琛王俊峰岳红菊唐威吴龙胜
关键词：保护环深亚微米
一种新型互补电容耦合ESD保护电路被引量：1
2007年
提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD保护电路,它由互补式电容实现,结构与工艺简单。电路采用0.6μm1P2MCMOS工艺进行了验证,结果表明,ESD失效电压特性有较明显改善,可达3000V以上。
杨力宏唐威刘佑宝
关键词：静电放电保护电路
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0