尹嵘
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重大科学仪器设备开发专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 2.9 THz束缚态向连续态跃迁量子级联激光器研制被引量：2
- 2013年
- 采用气源分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs束缚态向连续态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料,基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫兹量子级联激光器.测量了激光器的发射光谱和功率-电流-电压关系曲线,研究了器件的激光特性.器件激射频率约2.95 THz,脉冲模式下,最高工作温度为67 K.连续波模式下,阈值电流密度最低为230 A/cm2,最大光输出功率1.2 mW,最高工作温度为30 K.
- 万文坚尹嵘谭智勇王丰韩英军曹俊诚
- 关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延
- 低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征
- 2013年
- 采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300℃、As压为77.3kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电阻提高到1.632×106Ω/Sq,载流子数密度降低至1.058×1014 cm-3。X射线衍射结果表明:InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高,是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。
- 万文坚尹嵘韩英军王丰郭旭光曹俊诚
- 关键词：INGAASINALAS多量子阱分子束外延
- GD12-006低温InGaAs/InAIAs超晶格的生长及特性分析
- InGaAs是一种制作THz光电导天线的重要半导体材料.利用气态分子束外延技术在低温下生长了InGaAs材料，通过高分辨×射线衍射技术研究了不同生长温度和砷烷压力对外延层质量的影响，优化了分子束外延生长工艺.同时在InG...
- 尹嵘万文坚韩英军曹俊诚
- 关键词：超晶格分子束外延X射线衍射
- 文献传递
- 半导体太赫兹量子器件研究
- 兹(THz,1 THz=1012 Hz)波段是指频率从100GHz到10THz,相应的波长从3mm到30μm,介于毫米波与红外光之间频谱范围相当宽的电磁波谱区域.THz波也被称为T-射线.从频域上看,THz波频带宽,其能...
- 王长韩英军尹嵘张戎王丰郭旭光曹俊诚
- 关键词：太赫兹量子级联激光器量子阱探测器超晶格
- 低温InGaAs/InAlAs超晶格的生长及特性分析
- InGaAs是一种制作THz光电导天线的重要半导体材料。利用气态分子束外延技术在低温下生长了InGaAs材料,通过高分辨X射线衍射技术研究了不同生长温度和砷烷压力对外延层质量的影响,优化了分子束外延生长工艺。同时在InG...
- 尹嵘万文坚韩英军曹俊诚
- 关键词：INGAAS/INALAS超晶格分子束外延X射线衍射
- 文献传递
- 低温InGaAs/InAlAs多量子阱的MBE生长与表征
- 采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料，研究了生长温度以及As压对InGaAs材料性质的影响，优化生长条件：生长温度为300℃、As压为580 Torr。通过Be掺杂，并且采用In0.52Al0.48...
- 万文坚尹嵘韩英军郭旭光曹俊诚
- 关键词：光电导材料多量子阱太赫兹波性能表征
