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彭晔

作品数：5 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇电阻
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇欧姆接触电极
  • 3篇量子阱激光器
  • 3篇接触电极
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇P型
  • 2篇DFB
  • 2篇串联电阻
  • 1篇镀膜
  • 1篇探测器
  • 1篇腔面
  • 1篇腔面镀膜
  • 1篇膜系
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇共振腔
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇彭晔
  • 4篇李秉臣
  • 2篇朱洪亮
  • 1篇李成
  • 1篇王鲁峰
  • 1篇余金中
  • 1篇朱家廉
  • 1篇廖显伯
  • 1篇王红杰
  • 1篇王启明
  • 1篇成步文
  • 1篇李建中
  • 1篇杨沁清

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇科学通报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究被引量：9
1999年
用电子束反应蒸发法制备的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜和 Ａｌ２ Ｏ３ 膜组成的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系，解决了 ａ Ｓｉ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系在 ８０８ｎｍ 波长有较强光吸收问题，吸收系数从 ２×１０３ｃｍ － １ 降低到可以忽略的程度．ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜的光学带隙为 １７４ｅ Ｖ 左右．应用到 ８０８ｎｍ 大功率量子阱激光器腔面镀膜上。
李秉臣彭晔廖显伯
关键词：量子阱激光器腔面镀膜
2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究
2000年
对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对AuPtTiInAsp＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP和AuPtTip＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究，并对两者串联电阻进行了比较，其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4。
李秉臣彭晔朱洪亮
关键词：串联电阻量子阱激光器欧姆接触电极
Au-Pt-Ni/p-InP新的低欧姆接触电极被引量：1
1998年
用磁控溅射法淀积的非合金膜系Au_Pt_Ni/ p_InP( 1～ 2× 1 0 18cm-3 ) ,在 40 0℃ 30s的退火条件下 ,实现了比接触电阻低达 3× 1 0 -6Ω·cm2 的欧姆接触 .对不同温度 ( 30 0～ 5 0 0℃ )退火的Au_Pt_Ni/ p_InP欧姆接触所做的AES深度剖面分析揭示了Pt膜层阻挡Au的内扩散和InP外扩散的作用 .
李秉臣彭晔李建中
关键词：比接触电阻化合物半导体
2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究
对2.5G DFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对Au-Pt-Ti/InAs/p<'+>-InGaAs(掺Zn＞1×10<'19>cm<'-3>)MQ...
李秉臣彭晔朱洪亮
关键词：欧姆接触串联电阻
文献传递
用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器被引量：2
2000年
Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋 Bragg反射器镜面的制备 .用 PECVD方法在 Si衬底上制备了 Si Ox Ny/Si Bragg反射器 ,研究了 Bragg反射器的反射谱和退火行为 .
李成杨沁清朱家廉王红杰成步文余金中王启明王鲁峰彭晔
关键词：共振腔光电探测器硅基
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