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掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响: 2007年; 采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷(FPDs)的密度变小,氧化诱生层错环(OSF-ring)向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区(OSF-ring)的范围变大。; 韩海建周旗钢戴小林肖清华; 关键词：流动图形缺陷掺氮

一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉: 一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉，它包括：石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏，其特征在于：它还包括后氧化装置，该装置包括三通管、管道、阀门和流量计，后氧化装置安装在单晶炉上炉室与主真空泵之间的管道上...; 戴小林吴志强韩秋雨姜舰周旗钢张果虎; 文献传递

大直径直拉硅单晶炉热场的数值模拟被引量：14: 2004年; 数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟 ,通过对3 0 0mm单晶炉内热场的数值模拟计算 ,得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密度分布。; 王学锋翟立君周旗钢王敬戴小林吴志强; 关键词：直拉硅单晶数值模拟

300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析被引量：2: 2007年; 采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了<100>硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。; 高宇周旗钢戴小林肖清华; 关键词：热应力 MM 硅单晶

一种用于直拉硅单晶炉的尾气自净化过滤装置: 本实用新型提供一种用于直拉硅单晶炉的尾气自净化过滤装置，它包括：外壳，上盖，进气口，排气口，外壳内设有除尘筒，除尘筒上部有一传动轴，该轴伸出外壳，并设密封，传动轴与驱动系统连接，除尘筒内设筒形过滤芯，轴上设限位开关的触点...; 戴小林吴志强张果虎王学锋; 文献传递

一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置: 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置，方法是：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通入空气，所述的装置包括三通管、管道、阀门和流量计。本发明的优点是：本方法和设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道...; 戴小林吴志强韩秋雨姜舰周旗钢张果虎; 文献传递

300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响被引量：5: 2009年; 采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内OSF缺陷的密度增加。这说明,氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成,使OSF形核区变大。; 韩海建周旗钢戴小林; 关键词：掺氮 MM 直拉单晶硅

一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法: 一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，它是通过调节位于直拉单晶炉炉室内热场上保温筒座上设置的保温圆桶的数量、每层的厚度、圆桶的壁厚或它们的组合，从而调整晶体生长界面的形状、界面的温度梯度以及晶体生长速度的方法，达到调节直拉硅...; 戴小林吴志强邓树军崔彬姜舰王雅楠肖清华张果虎周旗钢屠海令; 文献传递

大直径直拉硅单晶等径的PID参数优化被引量：4: 2010年; 随着国内硅材料应用技术不断发展,在大直径单晶的直径生长控制方面除了在设备上采用更加先进的双CCD系统,同时也对单晶生长的直径PID提出了更加严格的要求,因此研究单晶生长的直径PID参数设置有着重要意义。以等径阶段PID参数设置为研究对象,采用晶体生长的实验方法研究了不同PID参数控制对晶体生长的影响,分析了不同参数的作用,最终获得了大直径CZ硅等径生长的优化PID控制参数。实验选用TDR-150型单晶炉,Φ700 mm热场系统,一次性投入200 kg多晶硅,拉制目标直径400 mm的大直径硅单晶。从实验中可以分别得到4条晶体生长等径过程中直径波动曲线以及4张等径过程中实际拉速及晶体生长速率波动图。通过对比分析,实验确认了PID 3个参数(P值比例增益,D值微分,I值积分)的合理取值范围及其作用效果:应使P值在系统具备较高灵敏度和稳定控制的平衡点;使D部分在系统频率特性的中频段,以改善系统的动态性能;而使I值在系统频率特性的较低频段,以提高系统的稳态性能,同时又能够作用于长期控制。; 姜舰邓树军戴小林吴志强朱秦发刘冰; 关键词：大直径 PID参数

掺氮浓度对300mm直拉单晶硅中氧化诱生层错的影响: 采用直拉法生长普通和掺氦硅单晶，研究两种晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从两种晶体相同位置取样，并对晶体进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明，随着掺氮浓度的增加晶体中氧化诱生县错环(OSF-ring)向样片中心处...; 韩海建肖清华周旗钢戴小林; 关键词：氮元素

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