方俊
- 作品数：23 被引量：46H指数：5
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- 相关领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>
- SiO/_2光子晶体的自组装制备及其光子带隙性质研究
- 光子晶体是一种具有光子带隙的周期性电介质结构,落在光子带隙中的光将不能传播。光子晶体由于具有独特的调节光子传播状态的功能,成为实现光通讯和光子计算机的基础,是信息功能材料研究的前沿领域。
目前,光子晶体的制备是...
- 方俊
- 关键词：光子晶体胶体晶体垂直沉积法
- 文献传递
- 化学修饰溶胶-凝胶法制备功能薄膜微细图形被引量：1
- 2006年
- 介绍了一种功能薄膜微细图形制备新方法—化学修饰溶胶-凝胶法。该方法的特点是在溶胶-凝胶制膜过程中引入化学修饰法,从而赋予薄膜以感光特性。利用该特性制备了微细图形,简化了工艺流程,并可以获得具有微米级的功能薄膜微细图形。概述了这种方法制备薄膜微细图形的原理、工艺流程以及主要影响因素,并对其在光波导薄膜、铁电薄膜和透明导电氧化物薄膜微细图形制备领域的研究情况进行了综合评述。最后对该方法的研究趋势进行了展望。
- 方俊王秀峰
- 关键词：微细图形溶胶-凝胶化学修饰
- 溶胶-凝胶法制备ZnO:Al透明导电膜正交试验的灰色关联分析
- 2006年
- 介绍了灰色关联分析的模型和算法,并运用灰色关联分析结合正交试验的方法对溶胶-凝胶法制备ZnO:Al透明导电膜过程中的溶胶浓度、掺杂量、镀膜层数、退火温度四个关键工艺因素对薄膜电性能的影响程度进行了研究,得出退火温度对膜的电性能的影响最为重要,其次是掺杂浓度和镀膜层数,溶胶浓度的影响最小。
- 方俊杨万莉
- 关键词：溶胶-凝胶正交试验灰色关联分析
- 微波辅助化学浴沉积法制备ZnO薄膜被引量：1
- 2006年
- 采用微波辅助化学浴沉积法在玻璃衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜。初步探讨了化学浴沉积法制备ZnO薄膜的反应机理。X射线衍射分析结果表明所得的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,不具有任何晶面的择优生长取向;随着反应时间从15min延长至30min,薄膜结晶性能提高,晶粒尺寸从27nm长大到73nm。扫描电子显微镜分析显示反应沉积12min时,薄膜比较均匀、致密,无裂纹出现;反应沉积25min后,薄膜厚度增加,同时出现开裂现象。
- 方俊王秀峰程冰缪凌波
- 关键词：半导体技术ZNO微波辐射
- 一种氧化锌薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种氧化锌薄膜的制备方法，属于半导体光电与器件领域，首先将锌盐、乙二胺按溶于去离子水中，并用氢氧化钠溶液调节pH值至10.50～12.00，制备成薄膜生长反应液，然后将处理过的基片平置于陶瓷加热板上，浸入到制备...
- 王秀峰方俊
- 文献传递
- 组装胶体晶体用单分散二氧化硅颗粒的制备被引量：8
- 2007年
- 采用Stober法合成二氧化硅颗粒。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对其结构和形貌进行分析。结果表明样品为非晶态固体颗粒,平均粒径为463 nm,单分散性较高,平均标准偏差小于5%,表面非常平整光滑。通过垂直沉积法在40℃和60%相对湿度下制备出有序性较好的密排结构的二氧化硅胶体晶体膜。在电子显微镜下,观察到这种胶体晶体是面心立方(FCC)密排结构,(111)晶面平行于基底。透射光谱表明,所制备的胶体晶体在(111)方向具有光子晶体的带隙性质。
- 方俊王秀峰程冰杨万莉
- 关键词：二氧化硅光子晶体胶体晶体
- 一种氧化锌薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种氧化锌薄膜的制备方法，属于半导体光电与器件领域，首先将锌盐、乙二胺溶于去离子水中，并用氢氧化钠溶液调节pH值至10.50～12.00，制备成薄膜生长反应液，然后将处理过的基片平置于陶瓷加热板上，浸入到制备好...
- 王秀峰方俊
- 文献传递
- 一种图案化二氧化钛反蛋白石光子晶体的制备方法
- 本发明的制备图案化二氧化钛反蛋白石光子晶体的方法是以石英玻璃或硅单晶为衬底，浸入含有单分散二氧化硅小球溶液中，用垂直沉积法在衬底上沉积得到蛋白石薄膜，将蛋白石薄膜在500～800℃下热处理后，再次浸入到配制好的紫外光敏性...
- 王秀峰方俊
- 文献传递
- 溶胶-凝胶制备Li_2O-Al_2O_3-SiO_2微晶玻璃的研究进展被引量：7
- 2006年
- Li2OAl2O3SiO2系统微晶玻璃由于其膨胀系数低,耐高温及抗热冲击性等优异性能而受到广泛重视。本文主要介绍了溶胶凝胶工艺原理、制备过程,及在Li2OAl2O3SiO2系微晶玻璃上的应用,最后简述了Li2OAl2O3SiO2系微晶玻璃的应用现状。
- 殷海荣王明华方俊
- 关键词：溶胶-凝胶LAS微晶玻璃
- 单分散SiO_2胶体球制备及其胶体晶体组装被引量：4
- 2007年
- 运用胶体化学法在乙醇介质中合成SiO2胶体球,将制得的样品在30℃下用双氧水浸泡处理48h。用扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外光谱(FT-TR)、Zeta电位仪和标准氢氧化钠滴定法对其形貌、结构和表面电学性质进行分析。结果表明样品平均粒径为292nm,平均标准偏差小于5%;经双氧水浸泡处理后,SiO2胶体球表面羟基数目增多,在水溶液中的Zeta电位从-55.72mV提高到-63.26mV,表面电荷密度从0.19μC/cm2提高到0.28μC/cm2。通过垂直沉积法,在40℃和60%相对湿度条件下制备出有序性较好、密排结构的SiO2胶体晶体。在SEM下,观察到这种胶体晶体是面心立方(fcc)密排结构,其(111)晶面平行于基底。透射光谱表明,所制备的胶体晶体在(111)方向具有光子晶体的不完全带隙性质。
- 方俊王秀峰程冰
- 关键词：光子晶体胶体晶体垂直沉积法
