朱大中
- 作品数：72 被引量：138H指数：7
- 供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金浙江省教育厅科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
- 2011年
- 针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.
- 郭维丁扣宝韩成功朱大中韩雁
- 关键词：雪崩击穿电荷泵
- 基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路被引量：1
- 2006年
- 研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62V/T.
- 郭清朱大中
- 关键词：互补金属氧化物半导体磁敏传感器
- 一种阵列式X射线传感器及其制作方法
- 本发明公开了一种阵列式X射线传感器，包括光电管阵列和闪烁晶体；光电管阵列包括P+衬底和P-外延层，P-外延层上嵌设有若干阵列排布的有源区块；P-外延层上铺设有氧化层，氧化层中开有若干接触通孔，氧化层上设有若干与有源区块对...
- 许超群孙颖朱大中韩雁
- 文献传递
- 基于遗传算法的变迹叉指换能器进化设计被引量：1
- 2006年
- 为简化变迹叉指换能器设计过程,提出了一种新的变迹叉指换能器的设计方法,它以叉指换能器的中心频率处的插入损耗和旁瓣电平作为寻优目标,叉指换能器的指条长度作为基因,通过选择、交叉和变异等遗传操作,自动生成叉指换能器的所有指条长度,并给出进化得到的变迹叉指换能器的频率响应。实验结果表明,提出的设计方法正确有效,所编制的进化设计软件包实用性强。
- 章安良朱大中
- 关键词：遗传算法染色体
- 光敏型聚酰亚胺对声表面波传输损耗的研究
- 2008年
- 采用扰动理论推导了聚酰亚胺薄膜作为声表面波的吸声材料时,声表面波的传输损耗模型。利用网络分析仪对表面涂覆厚5μm光敏型聚酰亚胺薄膜的双声路SAW传感器(中心频率165 MH z)的插入损耗进行测试,对理论模型进行了实验验证。理论结果表明,聚酰亚胺薄膜造成SAW的传输损耗和传感器的中心频率的高低、聚酰亚胺薄膜的厚度以及聚酰亚胺薄膜的宽度成正比。实验测试也证明,聚酰亚胺薄膜对声表面波造成的传输损耗和宽度成正比关系,测得传输损耗为9.5 dB/mm。
- 杨莺朱大中
- 关键词：声表面波聚酰亚胺损耗
- 异型声表面波器件特性分析被引量：1
- 2005年
- 报道了在128°旋转Y切割X传播方向的LiNbO3 压电基片上研制的异型声表面波器件,它将输入换能器激发的声表面波轴对称分成两路,分别由各自输出换能器检测输出.应用耦合模理论和P矩阵法详细分析自行研制的异型声表面波器件在输入换能器激发,一输出换能器检测输出及在非正常工作模式下,一输出换能器激发,另一换能器检测输出时的特性,并应用网络分析仪测量上述情况下的异型声表面波器件特性.结果表明,理论计算值与实验结果相近,尤其是耦合模理论得到的器件特性更接近于实验结果.本文研究为分析声表面波器件提供一种有效的分析工具.
- 章安良朱大中
- 关键词：声表面波
- 大功率照明白光LED恒流驱动芯片设计被引量：9
- 2009年
- 基于0.6μm标准CMOS工艺,研究设计了一款大功率照明白光LED恒流驱动芯片,可为两路功率型LED分别提供恒定的350mA驱动电流。驱动电路的输出级大功率管采用蛇形栅结构的设计,在标准CMOS工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。采用单电源供电,最高输出功率可达3W以上;单电源电压在4～7V范围内,芯片能够实现良好的恒流驱动功能,驱动电流恒流失配度保持在3.09%以内;当标准5V电源有10%的变化时,驱动电流的变化可控制在1.42%之内,恒流失配度保持在2.84%以内;而当环境温度在10～90℃范围内变化,驱动电流最多增大1.75%,恒流失配度保持在3.15%以内。采用双电源供电时,芯片电源转换效率可达83%。
- 郑晓东郭维朱大中
- 关键词：恒流驱动
- CMOS磁敏/光敏兼容传感器集成电路的设计被引量：1
- 2009年
- 研制了一种新型的磁敏传感器和光敏象限传感器兼容的集成电路。该传感器采用0.6μm标准CMOS工艺制造,设计并实现了磁敏传感器、光敏象限传感器及其兼容的信号处理电路的单片集成,并采用有源预处理电路和相关二次采样电路进行磁敏和光敏信号的采集和降噪处理,具有较高的磁场灵敏度(0.0361T-1)感光灵敏度(2V/lx.s),实现了在一个芯片上同时传感磁信号和光信号的功能。
- 郭清韩雁朱大中
- 关键词：互补金属氧化物半导体磁敏传感器光敏传感器
- CMOS微环境pH传感芯片研究被引量：5
- 2006年
- 基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口。片上集成100μm×100μm电极提供参考电位,消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象。缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量,器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44mV/pH,线性度在10%范围内。本结构可用于生物微环境pH值集成传感芯片设计中。
- 施朝霞朱大中
- 关键词：离子敏场效应晶体管CMOS工艺
- 可编程SAW滤波器CMOS集成电路的研究
- 2002年
- 本文介绍了一种采用 1μmCMOS工艺实现的可编程声表面波滤波器的八位取样、加权、控制、叠加集成电路 ,并对电路的性能进行了模拟和测试 ,同时与延迟线型、多组IDT型的声表面波滤波器以多芯片模式进行在线功能测试 .该电路由两个三明治电容和两个高宽长比的高跨导NMOS晶体管组成 .该电路结构简单 ,制造工艺与传统的CMOS工艺兼容 .该集成电路的工作频率范围为 15MHz～ 2 5 0MHz时 ,插入损耗为 - 8dB～ - 2 0dB ,加权电路开关比 (on/offratio)为 7dB～ 18dB左右 .
- 陈英朱大中
- 关键词：CMOS集成电路
