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李哲洋

作品数：44 被引量：43H指数：4
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家部委预研基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 4篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 39篇电子电信
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 20篇4H-SIC
  • 11篇SIC_ME...
  • 9篇肖特基
  • 9篇半导体
  • 8篇势垒
  • 8篇碳化硅
  • 8篇场效应
  • 7篇金属半导体
  • 7篇二极管
  • 7篇SIC
  • 7篇MESFET
  • 6篇微波功率
  • 6篇S波段
  • 5篇导体
  • 5篇肖特基势垒
  • 5篇金属半导体场...
  • 5篇禁带
  • 5篇宽禁带
  • 5篇宽禁带半导体
  • 5篇场效应管

机构

  • 34篇南京电子器件...
  • 8篇中国电子科技...
  • 4篇南京大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 44篇李哲洋
  • 30篇柏松
  • 26篇陈刚
  • 15篇蒋幼泉
  • 15篇陈辰
  • 10篇董逊
  • 9篇张涛
  • 9篇冯忠
  • 9篇汪浩
  • 8篇吴鹏
  • 6篇陈征
  • 6篇陈雪兰
  • 6篇李宇柱
  • 6篇倪炜江
  • 6篇李赟
  • 5篇邵凯
  • 4篇柏松
  • 4篇陈辰
  • 4篇李赟
  • 3篇郑惟彬

传媒

  • 12篇固体电子学研...
  • 6篇Journa...
  • 5篇半导体技术
  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇全国第十二届...
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇中国电子科学...
  • 1篇2006全国...
  • 1篇第六届全国毫...
  • 1篇第三届中国国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 4篇2009
  • 16篇2008
  • 7篇2007
  • 5篇2006
  • 2篇2005
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET
本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通...
柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉
关键词：碳化硅微波功率
文献传递
2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管被引量：1
2011年
在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基接触势垒qΦ_B=1.24 eV,理想因子n=1。
倪炜江李宇柱李哲洋李赟王雯贾铃铃柏松陈辰
关键词：高耐压
4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究被引量：2
2008年
在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm SiC MESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。
陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松
S波段SiC MESFET微波功率MMIC被引量：1
2008年
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8~3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32V时带内脉冲输出功率超过5W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MI M电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。
柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰
关键词：金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路
3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性
介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2...
陈刚柏松张涛李哲洋蒋幼泉
关键词：金属-半导体场效应晶体管材料性能优化设计
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响被引量：2
2008年
研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度=0.87eV,击穿电压在650V。
陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平
关键词：4H-SIC肖特基二极管势垒高度
S波段280W SiC内匹配脉冲功率管被引量：3
2008年
柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯
关键词：S波段功率管SIC内匹配脉冲微波功率器件
生长源流量对SiC外延生长的影响被引量：5
2008年
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)进行表征,在不影响薄膜质量的条件下成功将生长速率提高至12μm/h。
李赟李哲洋董逊陈辰
关键词：4H-SIC生长速率
水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究被引量：2
2008年
研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值为4.37%)的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。
李哲洋李赟董逊柏松陈刚陈辰
关键词：4H-SIC均匀性
生长源流量对SiC外延生长的影响
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通...
李赟李哲洋董逊陈辰
关键词：4H-SIC生长速率
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