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林新元

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇导电
  • 2篇导电能力
  • 2篇电路芯片
  • 2篇电能
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇通孔
  • 2篇芯片
  • 2篇纳米管束
  • 2篇互连
  • 2篇互连结构
  • 2篇集成电路芯片
  • 1篇PECVD
  • 1篇催化
  • 1篇催化剂

机构

  • 4篇天津理工大学

作者

  • 4篇林新元
  • 3篇张楷亮
  • 3篇胡凯
  • 3篇袁育杰
  • 2篇张勇
  • 1篇朱晓松
  • 1篇王芳
  • 1篇田博
  • 1篇宋殿友
  • 1篇苗银萍
  • 1篇许旺
  • 1篇魏军

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
低温制备集成电路互连高密度碳纳米管的研究
碳纳米管具有优良的电学及热学性能,这些特性使其成为了下一代集成电路互连材料的候选之一。但是碳纳米管实际应用到半导体集成电路中还有很多问题没有解决,如碳纳米管的低温生长,如何提高碳纳米管的束密度等问题。如何使碳纳米管在低温...
林新元
关键词：碳纳米管催化剂PECVD
文献传递
一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构
一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构，包括第一导电层、第二导电层、碳纳米管束和填充的导电金属，第一导电层和第二导电层之间设有垂直通孔，碳纳米管束位于垂直通孔内且与第一导电层垂直，导电金属为填充碳纳米管内的空隙和通孔内碳...
张楷亮胡凯林新元张勇袁育杰
文献传递
极大规模集成电路碳纳米管互连基础及关键工艺研究
张楷亮魏军王芳袁育杰苗银萍宋殿友许旺林新元朱晓松胡凯田博
随着集成电路特征尺寸的进一步微细化，互连线所承载的电流密度越来越大，正在挑战Cu互连线的极限(106A/cm<'2>)，尤其是ITRS预测技术时代进入32纳米后，互连线的电流承载密度将达107A/cm<'2>，这将超越C...
关键词：
关键词：集成电路碳纳米管
一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构及其制备方法
一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构，包括第一导电层、第二导电层、碳纳米管束和填充的导电金属，第一导电层和第二导电层之间设有垂直通孔，碳纳米管束位于垂直通孔内且与第一导电层垂直，导电金属为填充碳纳米管内的空隙和通孔内碳...
张楷亮胡凯林新元张勇袁育杰
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