桂德成
- 作品数：4 被引量：9H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 纳米硅异质结二极管被引量：9
- 2000年
- 在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C- V特性初步分析了结的性质及电输运机制。
- 何宇亮王因生桂德成陈堂胜顾晓春
- 关键词：纳米硅异质结二极管
- 宽势阱半导体光电器件研究
- 2000年
- 设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。
- 陈钟谋桂德成朱健钱辉作
- 关键词：光电器件半导体光电探测器
- 聚合物半导体PAn表面场效应管
- 1993年
- 本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。
- 袁仁宽杨树成袁宏江若莲郑有炓钱辉作桂德成
- 关键词：聚合物半导体场效应晶体管
- 微波功率芯片的亚微米工艺
- 报道一种掺砷多晶硅发射极超自对准亚微米工艺技术,特别适用于研制大面积的硅微波大功率晶体管.文中简述器件结构和工艺,同时给出器件研制的结果.
- 王因生张树丹王佃利傅义珠盛国兴桂德成丁晓明王志楠
- 关键词：亚微米工艺
- 文献传递
