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牛红攀

作品数:1 被引量:23H指数:1
供职机构:天津大学机械工程学院力学系更多>>
发文基金:教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇多孔硅
  • 1篇微结构
  • 1篇孔隙率
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇拉曼光谱法
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱法
  • 1篇残余应力

机构

  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇胡明
  • 1篇邱宇
  • 1篇牛红攀
  • 1篇徐晗
  • 1篇雷振坤
  • 1篇亢一澜

传媒

  • 1篇机械强度

年份

  • 1篇2004
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
微拉曼光谱技术及其在微结构残余应力检测中的应用被引量:23
2004年
多孔硅薄膜 硅基底结构是微机电系统 (micro electro mechanicalsystem ,MEMS)中的一个基本组元 ,其厚度为微米量级。由于薄膜与基底材料之间存在着晶格错配 ,在薄膜 基底间的界面上会出现残余应力 ,严重时会导致裂纹出现而发生断裂。微拉曼光谱法 (micro Ramanspectroscopy ,MRS)是近些年来在化学、物理、材料和力学等学科领域迅速发展的光学测量方法。文中对这一方法进行介绍 ,并且用来测量化学腐蚀多孔硅薄膜结构的残余应力 ,发现随着孔隙率的增加 ,多孔硅表面的拉伸应力逐渐增大。特别对某一样品出现裂纹区的拉曼测量表明 ,在裂纹区的残余应力急剧上升 ,达到了 0 .92GPa。使用金相显微镜观察不同孔隙率的多孔硅薄膜表面的微观形貌 ,这种不同程度的微观孔穴结构与残余应力的分布存在着紧密的联系。
邱宇雷振坤亢一澜胡明徐晗牛红攀
关键词:残余应力拉曼光谱法孔隙率多孔硅
共1页<1>
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