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王义

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇国内会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇GAAS
  • 2篇挖槽
  • 2篇内匹配
  • 2篇晶体管
  • 2篇刻蚀
  • 2篇功率管
  • 2篇干法刻蚀
  • 2篇C波段
  • 2篇HFET
  • 1篇砷化镓
  • 1篇微波功率放大...
  • 1篇集总参数
  • 1篇功率
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇分布参数
  • 1篇干法
  • 1篇侧蚀
  • 1篇大功率

机构

  • 4篇南京电子器件...

作者

  • 4篇王义
  • 2篇蔡昱
  • 2篇徐永刚
  • 2篇栗锐
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇林罡

传媒

  • 2篇2010年全...

年份

  • 4篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制
微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微波功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研...
徐永刚蔡昱王义
关键词:砷化镓内匹配大功率
文献传递
C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制
微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微渡功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研...
徐永刚蔡昱王义
关键词:内匹配晶体管微波功率放大器集总参数分布参数
文献传递
干法栅挖槽GaAs HFET功率管
介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖...
栗锐王义林罡陈堂胜
关键词:干法刻蚀功率管
文献传递
干法栅挖槽GaAs HFET功率管
介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖...
栗锐王义林罡陈堂胜
关键词:干法刻蚀侧蚀
文献传递
共1页<1>
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