王义
- 作品数:4 被引量:0H指数:0
- 供职机构:南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制
- 微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微波功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研...
- 徐永刚蔡昱王义
- 关键词:砷化镓内匹配大功率
- 文献传递
- C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制
- 微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微渡功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研...
- 徐永刚蔡昱王义
- 关键词:内匹配晶体管微波功率放大器集总参数分布参数
- 文献传递
- 干法栅挖槽GaAs HFET功率管
- 介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖...
- 栗锐王义林罡陈堂胜
- 关键词:干法刻蚀功率管
- 文献传递
- 干法栅挖槽GaAs HFET功率管
- 介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖...
- 栗锐王义林罡陈堂胜
- 关键词:干法刻蚀侧蚀
- 文献传递